[发明专利]一种SiCw-ZrB2-ZrC陶瓷复合粉体及其制备方法

摘要

一种SiC_w‑ZrB₂‑ZrC陶瓷复合粉体，由SiC晶须和ZrB₂‑ZrC陶瓷基体组成，SiC晶须均匀分散在ZrB₂‑ZrC陶瓷基体周围或均匀生长在ZrB₂‑ZrC陶瓷基体表面，本发明还提供了制备SiC_w‑ZrB₂‑ZrC陶瓷复合粉体的方法，首先合成含硼、硅、锆的陶瓷前驱体聚合物；然后将前驱体聚合物干燥、球磨，得到前驱体粉体；最后将前驱体粉体装入石墨坩埚中，在氩气保护下进行高温裂解，本发明SiC晶须ZrB₂‑ZrC陶瓷基体在前驱体裂解过程中同步原位生长得到，省去了晶须的预合成与混合过程，将晶须的合成、引入以及原料粉体的制备合二为一，制备工艺简单、生产成本低，而且所得到的复合粉体形貌均一、晶须均匀分散、尺寸均匀、界面相容性良好。

主权项

1.一种SiC_w‑ZrB₂‑ZrC陶瓷复合粉体的制备方法，所述SiC_w‑ZrB₂‑ZrC陶瓷复合粉体由SiC晶须和ZrB₂‑ZrC陶瓷基体组成，SiC晶须均匀分散在ZrB₂‑ZrC陶瓷基体周围或均匀生长在ZrB₂‑ZrC陶瓷基体表面，其特征在于，制备方法包括如下步骤：步骤1，合成含硼、硅、锆的陶瓷前驱体聚合物，其中：硼的质量分数大于10％，硅的质量分数大于15％，锆的质量分数大于10％，合成方法如下：1)在装有搅拌器、冷凝回流装置的三口烧瓶中加入计量比的苯酚、甲醛和氢氧化钠溶液，边搅拌边升温至60‑75℃，反应0.5‑1.5h；2)按质量份数为:乙醇5‑30份、乙酰丙酮5‑15份、氧氯化锆1‑15份、双氧水1‑10份配制氧氯化锆溶液；3)将1‑15份的正硅酸乙酯滴加到步骤2配置好的氧氯化锆溶液中，搅拌均匀，配制氧氯化锆正硅酸乙酯溶液；4)调节油浴的温度至80‑95℃，边升温边搅拌，同时滴加配制好的氧氯化锆正硅酸乙酯溶液，控制溶液的pH值为7‑9，待温度达到80‑95℃时，恒温反应0.5‑1.5h；5)将1‑10份硼酸溶解于6‑60ml沸乙醇中，配制硼酸溶液；6)调节油浴的温度至100‑110℃，边升温边搅拌，同时滴加配制好的硼酸溶液，控制溶液的pH值为7‑9；7)待温度达到100‑110℃时，保温0.5‑2h后，出料；8)将上步得到的产品放入真空干燥箱中40‑80℃保温3‑5h，即得到硼锆硅陶瓷前驱体聚合物；步骤2，将所述前驱体聚合物干燥、球磨，得到前驱体粉体；步骤3，将所述前驱体粉体装入石墨坩埚中，在氩气保护下进行高温裂解。