[发明专利]一种低介电常数α‑Si3N4多孔陶瓷的制备方法在审
| 申请号： | 201710109933.8 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN106866156A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 郭伟;刘甜甜;苏志发;蒋金海 | 申请（专利权）人： | 盐城工学院 |
| 主分类号： | C04B35/587 | 分类号： | C04B35/587;C04B38/06;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 施翔宇 |
| 地址： | 224051 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低介电常数α‑Si3N4多孔陶瓷的制备方法，按照如下步骤进行a、以稻壳为原料，制备得到碳硅质前驱体，再添加α‑Si3N4粉体、烧结助剂，组成陶瓷原料；b、将凝胶物质和分散剂分散在去离子水中，与上述陶瓷原料混合，球磨4‑8h后取出，真空除泡10‑30min，形成浆料；然后水浴加热至40‑80℃，使浆料中的凝胶物质完全溶解，其中浆料的固相含量为35‑60％；c、将上述料浆注入预热的模具中，进行注凝成型，脱模干燥，得到坯体；最后烧结自然冷却至室温，即获得低介电常数α‑Si3N4多孔陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 si3n4 多孔 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低介电常数α‑Si3N4多孔陶瓷的制备方法，其特征在于按照如下步骤进行：a、以稻壳为原料，制得碳硅质前驱体，再添加α‑Si3N4粉体、烧结助剂，组成陶瓷原料；b、将凝胶物质和分散剂分散在去离子水中，与上述陶瓷原料混合，球磨4‑8h后取出，真空除泡10‑30min或震动除泡1‑2h，形成浆料；然后水浴加热至40‑80℃，使浆料中的凝胶物质完全溶解，其中浆料的固相含量为35‑60％；c、将上述料浆注入预热的模具中，进行注凝成型，脱模干燥，得到坯体；最后烧结自然冷却至室温，即获得低介电常数α‑Si3N4多孔陶瓷。
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