[发明专利]一种用于变电站的避雷针有效

专利信息
申请号: 201710101072.9 申请日: 2017-02-23
公开(公告)号: CN106785937B 公开(公告)日: 2018-05-25
发明(设计)人: 冉丹婷;高攀亮;董娜 申请(专利权)人: 宁夏中科天际防雷股份有限公司
主分类号: H01T19/04 分类号: H01T19/04;H02G13/00
代理公司: 北京华识知识产权代理有限公司 11530 代理人: 王宇
地址: 750000 宁夏回族自治区银川市金凤区*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 本申请涉及一种用于变电站的避雷针,包括基片,所述基片上固定若干安装杆,安装杆端部固定簇状避雷针,相邻簇状避雷针之间设有稳定杆,稳定杆两端分别固定在所述簇状避雷针上,形成稳定三角形。本发明在所述避雷针的基片表面涂覆有耐腐蚀涂料,其导电性能良好,可以防止避雷针的腐蚀,并且能够智能修复、抗冻效果好,具有良好的使用价值。
搜索关键词: 避雷针 安装杆 稳定杆 变电站 簇状 稳定三角形 导电性能 基片表面 智能修复 耐腐蚀 相邻簇 抗冻 涂覆 涂料 腐蚀 申请
【主权项】:
1.一种用于变电站的避雷针,包括基片,其特征在于,所述基片上固定安装有若干安装杆,所述安装杆的远端部固定有簇状避雷针,同一簇中相邻的避雷针之间设置有稳定杆,所述稳定杆的两端分别固定在所述簇状避雷针上,形成稳定的三角形状结构;所述基片与变电站通过导线相连,所述基片为电解铜基片;所述基片表面涂覆耐腐蚀涂料层;所述耐腐蚀涂料中含有ZnO纳米颗粒、异丙醇和中空介孔二氧化硅碳纳米管微球;所述基片经过以下处理方式处理:将电解铜基片浸渍于0.1M的HCl溶液中2h,然后用砂纸16目、80目和800目依次对电解铜基片的表面进行打磨,然后浸泡于60%的KOH溶液中2h,浸泡后的电解铜基片采用60~90℃的热水冲洗5min,然后用5~10℃的水冲洗5min,使用50℃的电吹风吹干备用;所述耐腐蚀涂料层的制备方法如下:S1,中空介孔二氧化硅微球的制备:①先用质量分数为10%的KOH溶液洗涤苯乙烯单体,用分液漏斗分液去除阻聚剂,重复5次,然后用超纯水冲洗至pH=6.8~7.5;②称取0.25g三甲基氯化铵溶解于80mL超纯水中,装上回流冷凝系统,通氮气,逐滴滴加10g经步骤①处理后的苯乙烯,30~45℃磁力搅拌1h,加入5wt%偶氮二异丁基脒盐酸盐的水溶液20ml,然后置于真空干燥箱中5min,干燥箱的温度调至50℃,取出后继续磁力加热搅拌,加热温度为50℃且置于氮气环境下聚合反应24h,得到聚苯乙烯微球溶液;③称取1.0g十六烷基三甲基溴化铵溶于49mL去离子水中,再加入10g乙醇,1.0mL浓氨水,置于磁力搅拌器上搅拌,转速为1000rpm/min;然后将10g聚苯乙烯微球乳液逐滴滴加上述十六烷基三甲基溴化铵混合液中,超声分散30min,最后逐滴加入4.0g正硅酸乙酯,将磁力搅拌器温度上升至40~50℃,持续搅拌10h;④将经步骤③处理所得的乳液离心沉降,离心速度为10000rpm/min,离心温度为5℃,沉淀使用乙醇洗涤后,重复离心洗涤5次,真空干燥箱50KPa、40℃干燥3.5h,干燥产物于马弗炉中1500℃煅烧5h;S2,碳纳米管-缓蚀剂溶液配制:①称取由步骤S1制得的500mg中空介孔二氧化硅微球溶于L-组氨酸饱和水溶液中,超声分散15min;②称取50mg碳纳米管溶解于10ml超纯水中,超声分散15min,然后将碳纳米管溶液加入至含中空介孔二氧化硅微球的L-组氨酸水溶液中,然后在25±5℃的真空干燥箱中于400~500KPa负压反应24h,真空冷却高速离心,离心温度为0~5℃,离心速度为8000~10000rpm/min,离心所得沉淀于70~100℃真空箱中干燥过夜,即得吸附了L-组氨酸的中空介孔氧化硅碳纳米管微球;S3,制备基片涂覆液:①80ml超纯水中加入20ml甲醇,置于磁力搅拌器上,40℃加热、100rpm/min搅拌5min,将缩水甘油醚氧丙基-甲氧基硅烷缓慢加入上述溶液中,0.1MHCl调节pH至6.1~6.8,室温搅拌10min,得溶液a;②然后称取1.0mgZnO纳米颗粒加入到35ml异丙醇中,在水浴50℃处理下,搅拌30min,使其混合均匀,然后将混合均匀的异丙醇加入上述溶液a,得到基片涂覆液;S4,制备微球悬液:将经步骤S2制得的微球100mg溶解于100ml超纯水中,室温搅拌10min,形成透明的溶液,然后于溶液中滴加30mg酚醛树脂前驱体溶液,搅拌10min,得到微球悬液;S5,将S4中制备的微球悬液采用滴胶的方式逐滴滴加在经处理过的基片上,滴胶时间为5s,匀胶速度为1000rpm/s,匀胶30s,重复滴胶和匀胶3次;将滴好胶的基片置于90℃的烘箱中干燥过夜后形成薄膜;S6,将步骤S3中配置的溶液采用浸渍提拉的方式涂覆于经过步骤S5处理的基片上,将基片置于烘箱中120~150℃加热,加热时间为5~10min,以在基片表面形成透明的膜。
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