[发明专利]一种在PECVD中实现纵向及横向石墨烯可控制备的方法有效
| 申请号： | 201710083603.6 | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN106927453B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;亓月;张艳锋 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 王宇杨;武玥 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于石墨烯制备领域，具体地，涉及一种在PECVD中实现纵向及横向石墨烯可控制备的方法。本发明包括以下步骤：1)依次用乙醇、丙酮、异丙醇对玻璃基底进行清洗；然后用氩气吹干玻璃基底；2)将被法拉第笼包裹的玻璃基底置于PECVD腔内，将基底加热到540～580℃；3)加入氩气、甲烷与氢气，产生等离子体，生长60～120分钟；4)关闭等离子体发生源，在氩气氛围下自然降温至50℃以下，开腔得到的石墨烯玻璃样品。本发明在PECVD中通过法拉第笼效应在透明、绝缘基底上低温制备的二维横向石墨烯技术可以实现比同等基底、同等温度下，没有法拉第笼作用下得到的纵向石墨烯纳米墙更优的导电性、更高的透光率以及更好的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pecvd 实现 纵向 横向 石墨 可控 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在PECVD中实现纵向及横向石墨烯可控制备的方法，包括以下步骤：1)依次用乙醇、丙酮、异丙醇对玻璃基底进行清洗；然后用氩气吹干洗净后的玻璃基底；2)将玻璃基底置于法拉第笼中，并将被法拉第笼包裹的玻璃基底置于PECVD腔内，将基底加热到540～580℃；3)加入氩气、甲烷与氢气，产生等离子体，生长60～120分钟；4)关闭等离子体发生源，在氩气氛围下自然降温至50℃以下，开腔得到石墨烯玻璃样品。
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