[发明专利]一种LPCVD系统冷阱装置有效
申请号: | 201710073339.8 | 申请日: | 2017-02-10 |
公开(公告)号: | CN106591803B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 丁波;陈瀚;李轶;侯金松;徐伟涛;张文亮;杭海燕 | 申请(专利权)人: | 上海微世半导体有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 上海远同律师事务所 31307 | 代理人: | 张坚 |
地址: | 201401 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种LPCVD系统冷阱装置,包括套筒法兰组件和盘管法兰组件,套筒法兰组件包括筒体、设于筒体一端的出气口、设于筒体一侧的进气口以及轴向设于筒体内且一端与出气口相连通的导流管,盘管法兰组件包括法兰盘、设于法兰盘上的冷却水进、出口、分别与冷却水进、出口相连通的冷却水盘管,法兰盘与筒体另一端相对接密封,导流管另一端套设于冷却水盘管上。本装置结构简单、冷却快速高效,在LPCVD系统反应室内反应产生的可凝华气态副产物进入冷阱,气流通过导流管时与冷却水盘管和散热片进行充分热交换,气体因为温度急速降低凝华成固体,冷阱装置可拆卸后进行清理,既保证了真空管道不被堵塞,同时也避免了气体在真空泵内凝华导致真空泵卡死。 | ||
搜索关键词: | 一种 lpcvd 系统 装置 | ||
【主权项】:
1.一种LPCVD系统冷阱装置,包括套筒法兰组件和盘管法兰组件,套筒法兰组件包括筒体、设于筒体一端的出气口、设于筒体一侧的进气口,盘管法兰组件包括法兰盘,设于法兰盘上的冷却水进、出口,其特征在于:所述套筒法兰组件还包括轴向设于筒体内且一端与出气口相连通的导流管,所述盘管法兰组件还包括分别与冷却水进、出口相连通的冷却水盘管,法兰盘与筒体另一端相对接密封,所述导流管套设于所述冷却水盘管上;所述冷却水进口连通有一沿冷却水盘管整体轴向设置的进水管,冷却水进口通过进水管另一端与冷却水盘管相连通;所述冷却水盘管与进水管之间还设有冷凝机构;所述冷凝机构包括依次排列的数层漏斗状冷凝片。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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