[发明专利]一种基于表面快速热处理高纯致密氧化镁靶材的制备方法

摘要

本发明提供一种基于表面快速热处理高纯致密氧化镁靶材的制备方法，包括以下步骤以氧化镁粉末为原料，以氧化锆球为介质，对原料进行行星球磨，研磨后的粉末进行200目筛分；将筛后粉末进行冷等静压成型得到氧化镁压坯；将氧化镁压坯进行真空烧结，真空烧结结束后，根据所需靶材尺寸进行进行表面精密机加工至靶材表面粗糙度≤0.8μm，得到氧化镁靶材；将氧化镁靶材进行表面研磨，然后进行清洗，最后在真空条件下用连续波激光热处理法、扫描电子束法或非相干宽带频光源法进行表面快速热处理，得到基于表面快速热处理高纯致密氧化镁靶材。本发明制备的氧化镁靶材纯度高、致密度好、表层与内层组织一致，且制备方法简单，工期短，绿色环保节能。

主权项

一种基于表面快速热处理高纯致密氧化镁靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)以氧化镁粉末为原料，对原料进行行星球磨，球磨转速为150‑300r/min，球磨时间为8‑32h，球料比为1.5‑3:1，研磨后的粉末进行200目筛分；(2)将步骤(1)中筛后粉末进行冷等静压成型，压力为150‑350MPa，保压时间为5‑20min，得到氧化镁压坯；(3)将步骤(2)中氧化镁压坯进行真空烧结，烧结温度为1400‑1550℃，保温时间为2‑10h，真空度为0.1‑1.0Pa，真空烧结结束后，根据所需靶材尺寸进行表面精密机加工至靶材表面粗糙度≤0.8μm，得到氧化镁靶材；(4)将步骤(3)氧化镁靶材进行表面研磨，然后进行清洗，最后在真空条件下用连续波激光热处理法、扫描电子束法或非相干宽带频光源法进行表面快速热处理，得到基于表面快速热处理高纯致密氧化镁靶材。