[发明专利]一种选区外延纳米柱阵列的有序转移方法

摘要

本发明公开了一种选区外延纳米柱阵列的有序转移方法，针对以SiO2为掩膜开孔型图形化蓝宝石衬底进行的MOCVD或者MBE选区外延获得的纳米柱阵列外延片，该纳米柱阵列延竖直方向一致生长，均匀且整齐分布。本发明采用聚二甲基硅氧烷固化纳米柱阵列配合缓冲氧化物浸蚀剂腐蚀SiO2掩膜层后，将纳米柱阵列大面积有序转移。该方法具有对设备工艺要求低、保持阵列有序整齐等优势，并且底部顶部保留纳米柱材料便于纳米柱材料制备电极或者键合到其它柔性衬底，有利于纳米柱阵列材料更广范围的应用。

主权项

一种选区外延纳米柱阵列的有序转移方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1：准备在带开孔型SiO2掩膜的蓝宝石衬底上，利用MOCVD或者MBE选区外延制备的纳米柱阵列外延片，并测量其高度；步骤2：根据纳米柱阵列的高度旋涂PDMS预聚物，PDMS预聚物的厚度至少低于纳米柱顶部1微米；然后将外延片放入真空内进行抽气处理，彻底去除混合物中的气泡；最后将外延片进行加热，保持温度为90‑135℃，加热时间为1‑2小时，使PDMS预聚物完全固化；步骤3：腐蚀衬底SiO2掩膜层，将外延片浸泡于BOE腐蚀液5‑7分钟，移除SiO2掩膜层，以减弱纳米柱材料与衬底的连接强度，同时保留掩膜孔中的纳米柱材料；步骤4：从BOE腐蚀液中取出外延片，依次用酒精与去离子水清洗，再吹干，然后揭下PDMS预聚物获得纳米柱阵列，实现大面积纳米柱阵列的有序转移，并且保留纳米柱顶端与底端材料，方便键合到其他材料或者电极制备。