[发明专利]一种径向(110)体硅太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201710028336.2 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106898666B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 陈诺夫;陶泉丽;马大燕;白一鸣 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 陈波 |
| 地址： | 102206 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种径向(110)体硅太阳电池及其制备方法。太阳电池的结构主体是在一个P型(110)体硅片上形成多个径向p‑n结结构单元并联排布；所述径向p‑n结结构单元为，芯部为n型区；p型区环绕在n型区外圈，与n型区形成p‑n结；P+型区作为窗口层环绕在P型区外圈，形成势垒以降低载流子复合，增强载流子扩散。在太阳电池的迎光面覆有减反射膜，在背光面覆有电极。本发明的(110)体硅太阳电池是一种真正意义上的三维太阳电池，其径向p‑n结结构能够显著提高晶体硅太阳电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 径向 110 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种径向(110)体硅太阳电池，其特征在于，其结构主体是在一个P型(110)体硅片上形成多个径向p‑n结结构单元并联排布；所述径向p‑n结结构单元为，芯部为n型区；p型区环绕在n型区外圈，与n型区形成p‑n结；P+型区作为窗口层环绕在P型区外圈；所述径向p‑n结结构单元中，n型区的径向尺寸A为1～20μm；和/或，p型区的径向尺寸B为10～200μm；和/或，P+型区的径向尺寸C为1～20μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华北电力大学，未经华北电力大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710028336.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
