[发明专利]一种氯化钴电积工艺在审
| 申请号： | 201710021211.7 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106835194A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 杜长福;伍一根;仲扣成;叶圣毅 | 申请（专利权）人： | 江苏凯力克钴业股份有限公司 |
| 主分类号： | C25C1/08 | 分类号： | C25C1/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氯化钴电积工艺，其特征在于萃取钴后的P507经洗涤、反萃，反萃后液与氯化钴晶体加入溶解槽后送至氯化钴电积电解槽，电解槽阴极生产电积钴，阳极放出氯气采用液碱吸收槽经液碱回收，电解槽的电贫液先搅拌升温脱氯，脱氯温度为85℃，再采用醇类溶液还原处理电贫液残存氯气，脱除控制残氯含量≦0.001g/L；脱氯后的电积钴贫液加浓盐酸配制反萃酸作P507反萃循环使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氯化 钴电积 工艺 | ||
【主权项】：
一种氯化钴电积工艺，其特征在于：萃取钴后的P507经洗涤、反萃，反萃后液与氯化钴晶体加入溶解槽后送至氯化钴电积电解槽，电解槽阴极生产电积钴，阳极放出氯气采用液碱吸收槽经液碱回收，电解槽的电贫液先搅拌升温脱氯，脱氯温度为85℃，再采用醇类溶液还原处理电贫液残存氯气，脱除控制残氯含量≦0.001g/L；脱氯后的电积钴贫液加浓盐酸配制反萃酸作P507反萃循环使用。
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