[发明专利]一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法有效
| 申请号： | 201710014734.9 | 申请日： | 2017-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN106830082B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 黄青松;齐瑞峰;毕晓峰 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法，其包括如下步骤：（1）将一定量的含硫混合物和三氧化钼模板分别放置在两个托盘中，然后将两个所述托盘分别放入双温区管式炉的两个温区内；（2）将放置三氧化钼模板的温区升温至200℃‑1500℃，并保温1min‑5h；（3）同时将放置含硫混合物的温区升温至100℃‑900℃，并保温1min‑5h；（4）保温结束后停止加热，待所述双温区管式炉的炉膛降温后则可得到位于二氧化钼纳米片边缘的二硫化钼纳米条带。本发明生产设备更加简单，与现有的物理制备方法相比，不需要昂贵的电子束（离子束）设备，成本低廉；产物二硫化钼纳米条带性质稳定，并且条带的厚度可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控 宏量 制备 二硫化钼 纳米 条带 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将一定量的含硫物质和三氧化钼模板分别放置在两个托盘中，然后将两个所述托盘分别放入双温区管式炉的两个温区内，其中含硫物质和三氧化钼的质量比控制在大于0.13:1，并且小于2.1:1的范围内，含硫物质可以为硫单质、硫化物或二硫化物中的一种或几种的混合物；（2）将放置三氧化钼模板的温区升温至200℃‑1500℃，并保温1min‑5h；（3）同时将放置含硫物质的温区升温至100℃‑900℃，并保温1min‑5h；采用添加载气或者是保持真空的方法，使硫扩散到三氧化钼所在温区；（4）保温结束后停止加热，待所述双温区管式炉的炉膛降温后则可得到位于二氧化钼纳米片边缘的二硫化钼纳米条带。
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