[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池窗口层及其制备方法

摘要

本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池窗口层，从底面往上由下膜层和上膜层组成，下膜层为掺杂ZnO膜层，上膜层为ITO膜层或掺杂ZnO膜层，下膜层和上膜层均为掺杂ZnO膜层时，为不同掺杂ZnO膜层。本发明还公开了其制备方法，两种不同的薄膜都可以使用常见的DC电源去沉积，无需增加额外的装置，操作方便，利于生产。沉积下膜层时，可以选择不同掺杂的ZnO靶材，通过调节沉积温度、气氛、气压、功率等，得到满足生产要求的下膜层，加上连续生产的上膜层，与整体电池相匹配，此过程提高了生产效率，减少生产成本，薄膜质量易于控制。

主权项

一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池窗口层的制备方法，其特征在于，所述铜铟镓硒薄膜太阳能电池窗口层从底面往上由下膜层和上膜层组成，下膜层为掺杂ZnO膜层，上膜层为ITO膜层或掺杂ZnO膜层，下膜层和上膜层均为掺杂ZnO膜层时，为不同掺杂ZnO膜层，具体制备包括如下步骤：步骤一、将依次沉积背电极、吸收层、缓冲层的衬底放入真空腔室；步骤二、真空腔室分为若干个沉积室，前置沉积室安装下膜层靶材，后续沉积室安装上膜层靶材，真空腔室温度维持在50‑350℃下，抽真空至低于5×10‑4Torr，后充气氛维持真空腔室在1‑30m Torr下；步骤三、待真空腔室气压稳定后，采用DC磁控溅射、MF磁控溅射或RF磁控溅射分别对下膜层靶材和上膜层靶材进行溅射，在衬底上依次溅射下膜层和上膜层。