[发明专利]电磁波屏蔽膜及其制造方法有效
申请号: | 201680076117.5 | 申请日: | 2016-12-26 |
公开(公告)号: | CN108476607B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 岩井靖;柳善治;都地辉明;西山刚司;藤信男 | 申请(专利权)人: | 拓自达电线株式会社;东丽KP薄膜股份有限公司 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;B32B15/08 |
代理公司: | 北京市安伦律师事务所 11339 | 代理人: | 郭扬;孙晓斌 |
地址: | 日本大阪府东*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 电磁波屏蔽膜(1)包括:由以镍为主要成分的第1金属层(5)和以铜为主要成分的第2金属层(6)构成的屏蔽层(2),设置于屏蔽层(2)的第2金属层(6)一侧的面上的接合剂层(3),设置于屏蔽层(2)的第1金属层一侧的面上的保护层(4)。第2金属层(6)的平均晶粒尺寸为50nm以上200nm以下。 | ||
搜索关键词: | 电磁波 屏蔽 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电磁波屏蔽膜,其特征在于:包括:由以镍为主要成分的第1金属层和以铜为主要成分的第2金属层构成的屏蔽层,设置于所述屏蔽层的所述第2金属层一侧的面上的接合剂层,设置于所述屏蔽层的所述第1金属层一侧的面上的保护层,其中,所述第2金属层的平均晶粒尺寸为50nm以上200nm以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拓自达电线株式会社;东丽KP薄膜股份有限公司,未经拓自达电线株式会社;东丽KP薄膜股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680076117.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有翅片的铝EMI/RF护罩
- 下一篇:导电片的装配结构和电子设备