[发明专利]电磁波屏蔽膜及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201680076117.5 申请日: 2016-12-26
公开(公告)号: CN108476607B 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 岩井靖;柳善治;都地辉明;西山刚司;藤信男 申请(专利权)人: 拓自达电线株式会社;东丽KP薄膜股份有限公司
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00;B32B15/08
代理公司: 北京市安伦律师事务所 11339 代理人: 郭扬;孙晓斌
地址: 日本大阪府东*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 电磁波屏蔽膜(1)包括:由以镍为主要成分的第1金属层(5)和以铜为主要成分的第2金属层(6)构成的屏蔽层(2),设置于屏蔽层(2)的第2金属层(6)一侧的面上的接合剂层(3),设置于屏蔽层(2)的第1金属层一侧的面上的保护层(4)。第2金属层(6)的平均晶粒尺寸为50nm以上200nm以下。
搜索关键词: 电磁波 屏蔽 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种电磁波屏蔽膜,其特征在于:包括:由以镍为主要成分的第1金属层和以铜为主要成分的第2金属层构成的屏蔽层,设置于所述屏蔽层的所述第2金属层一侧的面上的接合剂层,设置于所述屏蔽层的所述第1金属层一侧的面上的保护层,其中,所述第2金属层的平均晶粒尺寸为50nm以上200nm以下。
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