[发明专利]光电转换膜和光电转换装置有效
| 申请号： | 201680069323.3 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108292689B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 稻井诚一郎;齐藤政志;小川浩充 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张毅群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请的光电转换膜具有：多个半导体纳米粒子(1a)、以及设置在该半导体纳米粒子(1a)的周围的基质相(3)，基质相(3)包含有机分子聚合物(5)与无机质材料(7)的复合体(9)作为主相。光电转换装置是在玻璃基板(21)上依次层叠透明导电膜(19)、包含上述光电转换膜的光电转换层(15)、半导体基板(11)和电极层(17)而构成的。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 | ||
【主权项】：
1.一种光电转换膜，其特征在于，具有：多个半导体纳米粒子、以及存在于该半导体纳米粒子的周围的基质相，所述基质相包含复合体作为主相，所述复合体为有机分子的聚合物与无机质材料的复合体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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