[发明专利]图像拾取元件封装件及其制造方法、图像拾取装置有效

专利信息
申请号: 201680067330.X 申请日: 2016-10-07
公开(公告)号: CN108391451B 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: 福田圭基 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/225;H04N5/335
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 根据本技术的一个实施方式,一种图像拾取元件封装件设置有:固态图像拾取元件、电路板、半透明板以及支撑主体。固态图像拾取元件具有光接收表面以及在光接收表面的相反侧上的后表面。电路板支撑固态图像拾取元件的后表面。半透明板面向光接收表面。支撑主体具有树脂框架部和导体部,并且布置在电路板与半透明板之间。树脂框架部具有容纳固态图像拾取元件的中空部以及用于固定至图像拾取装置的壳体部的固定部。导体部与树脂框架部整体设置并且将电路板与固定部彼此热连接。
搜索关键词: 图像 拾取 元件 封装 及其 制造 方法 装置
【主权项】:
1.一种图像拾取元件封装件,包括:固态图像拾取元件,包括:光接收表面,以及后表面,在与所述光接收表面相对的侧面上;电路板,支撑所述固态图像拾取元件的所述后表面;半透明基板,与所述光接收表面相对;以及支撑件,包括:树脂框架部,包括:中空部,容纳所述固态图像拾取元件,和固定部,固定至图像拾取器件的壳体部,以及导体部,整体设置在所述树脂框架部中并且提供所述电路板与所述固定部之间的热连接,所述支撑件布置在所述电路板与所述半透明基板之间。
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  • 图像传感器及电子设备、制作方法-202210339293.0
  • 王倩 - 思特威(上海)电子科技股份有限公司
  • 2022-04-01 - 2023-10-24 - H01L27/146
  • 一种图像传感器及电子设备、制作方法,该图像传感器包括:半导体基底,半导体基底中设有多个像素单元区以及像素隔离区;像素单元区包括:感光区、传输晶体管、浮动扩散区以及源极跟随晶体管,感光区用于将光信号转换为电信号;传输晶体管用于将电信号转移至浮动扩散区;源极跟随晶体管用于输出电信号;其中,像素单元区还包括绝缘间隔结构,绝缘间隔结构嵌入感光区,且传输晶体管设置于绝缘间隔结构中。通过将绝缘间隔结构嵌入感光区内,并将传输晶体管设置于绝缘间隔结构中,从而减小感光区与传输晶体管的传输距离,提高传输性能,减小Lag,在相同的电场梯度下进行更高的感光区掺杂,相同感光区面积下可获得更高的满阱,有效利用像素内部的面积。
  • 电极结构以及影像感测器-202210937644.8
  • 张开昊;李京桦;张育淇 - 采钰科技股份有限公司
  • 2022-08-05 - 2023-10-24 - H01L27/146
  • 一种电极结构以及影像感测器,该电极结构包含上电极和位于上电极下方的下电极。上电极包含多个内部电极和与内部电极相连的外部电极。内部电极配置以根据波长范围过滤光线以及过滤光线以产生偏极化的光线。内部电极中的每一者包含延伸于第一方向的金属结构和介电结构。金属结构包含第一部分以及第二部分。介电结构位于金属结构的第一部分与第二部分之间。第一部分、介电结构以及第二部分沿着第二方向排列。上电极以及下电极在垂直于第一方向与第二方向的第三方向上重叠。本发明的内部电极为复合结构,且内部电极的间距与宽度可根据光波波长以及占空比而定义。上电极可同时具有滤光片与偏光片的功能,可作为电极、滤光片以及偏光片的整合式结构。
  • 共享像素单元、图像传感器及其信号读出方法-202210343795.0
  • 郭同辉;石文杰;邵泽旭 - 思特威(上海)电子科技股份有限公司
  • 2022-03-31 - 2023-10-24 - H01L27/146
  • 本发明提供一种共享像素单元,包括:三个感光模块,第一感光模块和第三感光模块沿水平方向镜像设置,第二感光模块和第三感光模块沿垂直方向镜像设置,且各所述感光模块分别连接所述漂浮扩散有源区;复位模块设置于所述漂浮扩散有源区的一侧,所述复位模块连接所述漂浮扩散有源区,且所述复位模块与所述漂浮扩散有源区的中心连线平行于所述第二感光模块和所述第三感光模块的中心连线;读出模块设置于所述第一感光模块或所述第三感光模块远离所述复位模块的一侧,且所述读出模块与所述漂浮扩散有源区电连接。本发明通过提出一种全新的三像素共享结构,增加像素中光电二极管的面积占有率,提升像素的感光效率。
  • 图像传感器-202310380792.9
  • 李周熹;任东模;梁至希;李泰宪;林智焄 - 三星电子株式会社
  • 2023-04-11 - 2023-10-24 - H01L27/146
  • 一种图像传感器包括:衬底;光电转换区域,所述光电转换区域位于所述衬底中,所述衬底在所述光电转换区域上限定衬底沟槽;浮置扩散区域,所述浮置扩散区域在所述衬底中与所述衬底沟槽的侧表面相邻;栅极电介质膜,所述栅极电介质膜沿着所述衬底沟槽的所述侧表面和下表面延伸;以及转移栅电极,所述转移栅电极包括在所述栅极电介质膜上填充所述衬底沟槽的一部分并且具有第一宽度的下栅极和位于所述下栅极上并且具有小于所述第一宽度的第二宽度的上栅极。所述栅极电介质膜包括下电介质膜和上电介质膜,所述下电介质膜介于所述衬底和所述下栅极之间并且具有第一厚度,所述上电介质膜与所述浮置扩散区域相邻并且具有大于所述第一厚度的第二厚度。
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