[发明专利]超低功率超低噪声传声器在审
| 申请号： | 201680047358.7 | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN107925823A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 厄兹·加拜 | 申请（专利权）人： | 怀斯迪斯匹有限公司 |
| 主分类号： | H04R3/06 | 分类号： | H04R3/06;H04R19/01;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人： | 曹正建,陈桂香 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及的传声器电路包括JFET晶体管或MOSFET晶体管；输入阻抗网络，其端子连接到所述晶体管的栅极；源极电阻器，其一个端子连接到所述晶体管的源极连接且另一个端子接地；旁路电容器，其并联连接到源极电阻器；负载电阻器，其一个端子连接到所述晶体管的漏极；电荷泵，其用于产生与负载电阻器的第二端子连接的低电压以及与运算放大器的电源端子连接的反向电压；运算放大器，其一个输入端通过双向低通滤波器连接到所述晶体管的源极端子且其另一个输入端连接到参考电压，其电源端子连接到反向电压，且另一个电源端子连接到主电源电压，其输出端子通过低通滤波器连接到输出阻抗网络的另一个端子，其中，输出阻抗网络连接到传声器。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 噪声 传声器 | ||
【主权项】：
一种传声器，其包括：晶体管，其包括JFET晶体管和MOSFET晶体管中的至少一者；输入阻抗网络，其包括与所述晶体管的栅极端子连接的第一端子；源极电阻器，其包括与所述晶体管的源极端子连接的第一端子以及与接地端子连接的第二端子；旁路电容器(CS)，其并联连接到所述源极电阻器；负载电阻器(RD)，其包括与所述晶体管的漏极端子连接的第一端子；电荷泵，其用于产生：低电压(VCC_LOW)，其连接到所述负载电阻器的所述第二端子；和反相电压(‑VEE)，其连接到运算放大器的第一电源节点；所述运算放大器，其包括：第一输入端子，其通过双向低通滤波器连接到所述晶体管的所述源极端子；第二输入端子，其连接到参考电压Vref；第一电源端子，其连接到所述反相电压；第二电源端子，其连接到主电源电压；和输出端子，其通过另一低通滤波器连接到所述输入阻抗网络的第二端子；以及驻极体电容器，其并联连接到所述输入阻抗网络。
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