[发明专利]用于低辐射率涂层的钛镍铌合金阻挡层在审
| 申请号： | 201680028471.0 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN107645988A | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 丁国文;布伦特·博伊斯;杰里米·程;穆罕默德·伊姆兰;劳靖宇;李珉户;丹尼尔·施魏格特;志-文·文·孙;王宇;徐永利;张贵珍 | 申请（专利权）人： | 分子间公司;佳殿工业公司 |
| 主分类号： | B32B15/08 | 分类号： | B32B15/08;C23C14/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 张英,沈敬亭 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制备低辐射面板的方法，包括控制形成在薄导电银层上的阻挡层的组合物。该阻挡结构可含有镍、钛、铌的三元合金，其与二元阻挡层相比，显示出在整体上具有改进的性能。镍的百分比可为5‑15wt％，钛的百分比可为30‑50wt％，铌的百分比可为40‑60wt％。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 辐射 涂层 钛镍铌 合金 阻挡 | ||
【主权项】：
一种形成低辐射面板的方法，所述方法包括：提供透明基板；在所述透明基板上形成第一层，其中，所述第一层含有银；在所述第一层上形成第二层，其中所述第二层含有镍、钛、铌的合金，其中，所述合金中镍的百分比为约10wt％，所述合金中钛的百分比为约40wt％，所述合金中铌的百分比为约50wt％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于分子间公司;佳殿工业公司，未经分子间公司;佳殿工业公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680028471.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
