[发明专利]光电路有效
| 申请号： | 201680017807.3 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN107430293B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 金泽慈;上田悠太;尾崎常祐 | 申请（专利权）人： | 日本电信电话株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015;H01S5/026;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高频特性提高的高频传输线路等。高频传输线路具备：第一导体线路；终端电阻，与第一导体线路连接；第二导体线路，与终端电阻连接；以及接地线路，相对于第一导体线路、终端电阻以及第二导体线路，隔开规定的距离对置配置，并且与第二导体线路连接，第一导体线路以及接地线路分别形成为线路宽度朝向终端电阻侧变窄。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 | ||
【主权项】：
一种高频传输线路，其特征在于，具备：第一导体线路，具有规定的特性阻抗；终端电阻，与所述第一导体线路连接；第二导体线路，与所述终端电阻连接；以及接地线路，相对于所述第一导体线路、所述终端电阻以及所述第二导体线路，隔开规定的距离对置配置，并且与所述第二导体线路连接，所述第一导体线路以及所述接地线路分别形成为线路宽度朝向所述终端电阻侧变窄。
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- 本发明公开了一种太赫兹光控调制器、其制备方法及太赫兹成像系统，该太赫兹光控调制器包括柔性基底、阻挡层、半导体吸收层和缓冲层，其中，柔性基底采用的是聚亚酰胺膜，其与阻挡层和半导体吸收层兼容良好，解决了目前现有技术中的柔性基底不能与互补金属氧化物半导体工艺良好兼容的问题。本发明提供的太赫兹成像系统包括柔性的太赫兹光控调制器，该柔性的太赫兹光控调制器通过改变泵浦光源的光强度可达到光控太赫兹波的开关效应，且可很好地应用于曲面目标成像领域。
- 一种太赫兹波光控调制器及其制备方法-201910882826.8
- 鲁远甫;佘荣斌;李光元;刘文权;张锐 - 深圳先进技术研究院
- 2019-09-18 - 2023-04-07 - G02F1/015
- 一种基于钝化工艺生长钝化膜的太赫兹波光控调制器及其制备方法，其中，在本征半导体材料上，利用原子层沉积系统、等离子体增强化学的气相沉积法或者低压力化学气相沉积法在半导体材料的太赫兹波入射面和太赫兹波出射面上都沉积钝化层，所述钝化层为氧化铝膜、氮化硅或者氧化硅。使用钝化工艺来改善本征半导体材料的表面缺陷，从而获得更高的载流子浓度，如此能够降低太赫兹波相关系统对照明的要求和成本，便于系统更加集成和用户的操作。此外，钝化层能隔绝半导体与空气的接触，防止氧化和污染，增强了太赫兹波光控调制器的稳定性，提高了调制器的使用寿命。
- 一种基于MoS
- 吴晓君;郝思博;程伊城;周江平 - 北京航空航天大学
- 2021-03-03 - 2023-03-24 - G02F1/015
- 本发明公开了一种基于MoS
- 专利分类
