[发明专利]存储器单元和存储装置有效

专利信息
申请号: 201680013237.0 申请日: 2016-01-14
公开(公告)号: CN107430882B 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 冈干生;神田泰夫;肥后丰 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: G11C11/15 分类号: G11C11/15;G11C13/00;H01L21/8246;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/08
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 李颖
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明技术的目的是提高存储反映电流方向的值的存储单元的性能。存储器单元包括N型晶体管、P型晶体管和存储元件。N型晶体管从其源极向漏极或从漏极向源极提供电流。P型晶体管从其源极向漏极提供电流。存储元件存储反映从N型晶体管的漏极以及从P型晶体管的漏极提供的电流的方向的逻辑值。
搜索关键词: 存储器 单元 存储 装置
【主权项】:
一种存储器单元,包括:N型晶体管,其配置成从其源极向漏极或从漏极向源极提供电流;P型晶体管,其配置成从其源极向漏极提供电流;和存储元件,其配置成存储反映从所述N型晶体管的所述漏极以及从所述P型晶体管的所述漏极提供的所述电流的方向的逻辑值。
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