[发明专利]包括具有体极连接的开关晶体管的RF电路有效

专利信息
申请号: 201680012669.X 申请日: 2016-03-04
公开(公告)号: CN107278351B 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: M·S·奥贝恩;C·科梅林格 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03K17/10 分类号: H03K17/10;H03K17/16;H03K17/30;H03K17/687;H03K17/693
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在一些方法实施例和装置实施例中,RF电路包括具有源极、漏极、栅极以及体极的开关晶体管。栅极控制电压被施加到开关晶体管的栅极。体极控制电压被施加到开关晶体管的体极。当开关晶体管处于导通状态时,体极控制电压为正偏置电压。在一些实施例中,RF电路包括通过第一电阻施加到开关晶体管的栅极、并通过第二电阻施加到开关晶体管的体极的控制电压。第一电阻不同于第二电阻。
搜索关键词: 包括 具有 连接 开关 晶体管 rf 电路
【主权项】:
一种RF电路,包括:具有源极、漏极、栅极和体极的开关晶体管;施加到所述开关晶体管的所述栅极的栅极控制电压;以及施加到所述开关晶体管的所述体极的体极控制电压,其中当所述开关晶体管处于导通状态时,所述体极控制电压为正偏置电压。
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  • 2016-09-27 - 2021-11-16 - H03K17/10
  • 一种用于HVDC功率变换器的半导体开关串(10),所述半导体开关串(semiconductor switching string)包括多个串联的半导体开关组件(12)。每个半导体开关组件(12)具有主半导体开关元件(14)。当导通时,每个主半导体开关元件(14)以导通模式操作,其中在所述导通模式下,导通电流(ic)从所述主半导体开关元件的第一端子(20)向其第二端子(24)流动。每个主半导体开关元件(14)在断开时从反向恢复模式过渡到阻断模式,其中在所述反向恢复模式下,反向恢复电流(irr)从所述第二端子(24)向所述第一端子(20)流动,并且其中在所述阻断模式下,所述第一端子(20)与第二端子(24)之间没有电流流动。每个主半导体开关元件(14)具有有源辅助电路(30),所述有源辅助电路(active auxiliary circuit)电连接在所述第一端子(20)和所述第二端子(24)之间,并且每个有源辅助电路(30)包括彼此串联的辅助半导体开关元件(32)和电阻元件(34)。所述半导体开关串(10)还包括控制单元(50),所述控制单元可操作地与每个辅助半导体开关元件(32)连接。所述或每个控制单元(50)配置成将相应辅助半导体开关元件(32)切换到导通状态,以引导电流通过所述对应电阻元件(34)。所述或每个控制单元(50)进一步配置成,至少当每个主半导体开关元件(14)以每个主半导体开关元件的反向恢复模式或阻断模式中的一者操作时,使所有所述辅助半导体开关元件(32)同时处于所有所述辅助半导体开关元件的导通状态,由此当给定主半导体开关元件(14)过渡到以其阻断模式操作时,跨所述给定主半导体开关元件的电压(v、v′、v")仅由跨所述电阻元件(34)的电压决定,所述电阻元件位于电连接在所述给定主半导体开关元件(14)的所述第一端子(20)与所述第二端子(24)之间的所述对应有源辅助电路(30)中。
  • 电力电子设备和用于向功率半导体开关的驱动电路供应电压的方法-202080016693.7
  • B·穆勒 - 艾思玛太阳能技术股份公司
  • 2020-02-03 - 2021-11-09 - H03K17/10
  • 本发明涉及一种电力电子设备(1a),具有第一功率半导体开关(6a)和驱动电路(49、49a、49b)。利用该电力电子设备能够向适用于至少一种操作模式的驱动电路供应电压。为此,包括辅助电路装置(52、52a、52b),该辅助电路装置具有供电电容器(53、53a、53b)和辅助电容器(54)、常关辅助半导体开关(55,55a、55b)、二极管(56)和自举二极管(57),其中辅助半导体开关(55、55a、55b)经由第一连接点(58)连接在第一功率半导体开关(6a)的参考电位端子(59)上,从该第一连接点(58)开始,二极管(56)、第二连接点(60)和辅助电容器(54)的串联电路与辅助半导体开关(55、55a、55b)并联布置,使得在辅助半导体开关(55、55a、55b)截止时,辅助电容器(54)通过流经第一功率半导体开关(6a)的电流充电,并且供电电容器(53、53a、53b)一方面经由自举二极管(57)与第二连接点(60)电连接,另一方面与参考电位端子(59)电连接,使得在辅助半导体开关(55、55a、55b)导通且辅助电容器(54)充电时,供电电容器(53、53a、53b)经由自举二极管(57)被辅助电容器(54)充电。
  • 开关电路、栅极驱动器和操作晶体管器件的方法-202110480090.9
  • 金炯男;A·查理斯;M·伊马姆;雷琴;刘春晖 - 英飞凌科技奥地利有限公司
  • 2021-04-30 - 2021-11-02 - H03K17/10
  • 公开了开关电路、栅极驱动器和操作晶体管器件的方法。在实施例中,提供了一种开关电路,其包括基于III族氮化物的半导体本体,该半导体本体包括第一单片集成的基于III族氮化物的晶体管器件和第二单片集成的基于III族氮化物的晶体管器件,第一单片集成的基于III族氮化物的晶体管器件和第二单片集成的基于III族氮化物的晶体管器件被耦合以形成半桥电路并且被布置在包括公共掺杂水平的公共异质衬底上。开关电路被配置为在至少300V的电压下操作半桥电路。
  • 一种用于优化堆叠开关管耐压均匀性的射频开关电路-202110972283.6
  • 沈宇;管剑铃;谢婷婷;王玉娇;周德杭;倪成东;倪文海;徐文华 - 上海迦美信芯通讯技术有限公司
  • 2021-08-24 - 2021-10-01 - H03K17/10
  • 本发明公开了一种用于优化堆叠开关管耐压均匀性的射频开关电路,涉及射频集成电路技术领域。本发明包括:串联支路模块:包括2N个第一开关晶体管、第一偏置晶体管、第一源漏电阻、第一栅极偏置电阻,2N‑1个第一栅极串联电阻和1个第一栅极公共端电阻;并联支路模块:由2M个第二开关晶体管、第二偏置晶体管、第二源漏电阻、第二栅极偏置电阻,2M‑1个第二栅极串联电阻和1个第二栅极公共端电阻;本发明结构可以降低射频开关前几级和后几级开关晶体管承担的最大峰值电压,提高射频开关各级开关晶体管的耐压均匀性以及射频开关的最大输入功率,尤其提高了并联支路模块各级开关晶体管的耐压均匀性。
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