[发明专利]存储器单元有效

申请号：	201680010690.6	申请日：	2016-01-13
公开（公告）号：	CN107251223B	公开（公告）日：	2021-03-16
发明（设计）人：	卡迈勒·M·考尔道;陶谦;杜赖·维沙克·尼马尔·拉马斯瓦米;刘海涛;柯尔克·D·普拉尔;阿绍尼塔·A·恰范	申请（专利权）人：	美光科技公司
主分类号：	H01L27/11507	分类号：	H01L27/11507;H01L49/02
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287	代理人：	路勇
地址：	美国爱***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	本发明揭示一种存储器单元，其包含选择装置及与所述选择装置串联电耦合的电容器。所述电容器包含两个导电电容器电极，其具有介于其之间的铁电材料。所述电容器具有从所述电容器电极中的一者穿过所述铁电材料而到另一电容器电极的本征电流泄漏路径。存在从所述一个电容器电极到所述另一电容器电极的平行电流泄漏路径。所述平行电流泄漏路径电路平行于所述本征路径，且具有比所述本征路径低的总电阻。本发明揭示其它方面。
搜索关键词：	存储器单元
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【主权项】：

一种存储器单元，其包括：选择装置；电容器，其与所述选择装置串联电耦合，所述电容器包括两个导电电容器电极，所述两个导电电容器电极具有介于其之间的铁电材料，所述电容器包括从所述电容器电极中的一者穿过所述铁电材料而到另一电容器电极的本征电流泄漏路径；及平行电流泄漏路径，其从所述一个电容器电极到所述另一电容器电极，所述平行电流泄漏路径电路平行于所述本征路径且具有比所述本征路径低的总电阻。

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摘要：本发明的实施例提供一种半导体结构和用于形成半导体结构的方法。半导体结构包含第一电极，第一电极包括第一部分、第二部分以及将第一部分连接到第二部分的片部分。铁电材料位于片部分上方。第二电极位于铁电材料上方。

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摘要：本发明公开了一种铁电存储器及其铁电电容和制备方法，属于半导体存储器件领域。本发明在铁电电容中的铁电介质层生长前引入一层反铁电介质层，利用反铁电层作为种子层时，为铁电介质层提供结晶模板，从而提高铁电相占比更高，提升剩余极化强度进而提升存储窗口；同时利用反铁电层作为界面层时，具有比其他相更低的表面能和更稳定的电极接触界面，降低界面缺陷、漏电流，降低氧空位浓度，抑制电学循环过程中氧空位的生成，改善了耐久性，提升了存储器的可靠性。有利于铁电随机存储器的低功耗高性能高可靠性应用。

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摘要：本发明涉及一种铁电存储器及其制备方法、应用。制备方法包括：在衬底上沉积TiN底电极，然后在CVD腔室中通入NH3对底电极进行处理；在所述底电极表面沉积氧化铪基铁电膜；在所述氧化铪基铁电膜表面沉积顶电极；利用干法刻蚀手段图形化所述顶电极；然后进行退火处理：退火时间为20‑40s，温度为400‑600℃；之后进行金属互连。本发明提高了集成于芯片中的铁电存储器的剩余极化强度。

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申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L27/11507
摘要：本发明属于铁电存储器件技术领域，具体为一种通过金属扩散调节铁电存储器表面层有效厚度的方法。本发明是在铁电存储单元表面层与电极接触部位间增加金属扩散层，使金属原子扩散进入部分或全部铁电表面层区域，从而调减表面层有效厚度，实现对表面层选择管开启电压大小的连续调节。本发明在金属扩散层制备完成后，采用高温保温或后热退火的方法调控扩散层金属向铁电材料内部的扩散深度。本发明实现了开启电压连续可调，甚至可降低至接近零；同时，开态电流增大，存储器读写操作电压减小，可提高器件可缩微性或存储密度，实现功耗的大幅度降低，开关比可达105，存储器性能获得大幅度提升。本发明为深化高密度铁电存储器的商业化开拓了思路。

集成芯片及其形成方法-202110918219.X
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集成芯片-202210022903.4
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摘要：本发明一些实施例关于集成芯片，其包括第一导电结构配置于基板上。存储层配置于第一导电结构上与第二导电结构下并包含铁电材料。退火的晶种层配置于第一导电结构与第二导电结构之间并直接位于存储层的第一侧上。含有斜方晶相的结晶结构量大于约35％。

存储单元及其制备方法-202110055699.1
发明人：于绍欣;金兴成;陈晓亮;郭崇永 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L27/11507
摘要：本发明涉及一种存储单元及其制备方法，存储单元包括：SOI衬底，包括依次层叠设置的背衬底、埋氧层以及顶层硅层；晶体管包括栅极、源区及漏区，所述源区和所述漏区分别形成于所述栅极相对的两侧的所述SOI衬底的所述顶层硅层内；以及电容，位于所述埋氧层内，与所述晶体管的漏区电连接。上述存储单元整体面积最小化，从而提高具备该存储单元的存储电路的集成度。

存储单元及其制备方法-202110055703.4
发明人：于绍欣;金兴成;陈晓亮;郭崇永 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L27/11507
摘要：本发明涉及一种存储单元及其制备方法，存储单元，包括：衬底，所述衬底内设有电容沟槽；晶体管，包括栅极、源区及漏区，所述栅极形成于所述衬底上，所述源区及所述漏区分别位于所述栅极相对的两侧的衬底内；以及电容，位于所述电容沟槽内，且与所述漏区电连接。上述存储单元在衬底内形成有电容沟槽，电容位于该沟槽内，相比于传统技术中的设置于金属层之间的平板电容，即便在存储单元缩小的情况下仍然能够保证电容的极板的面积较大，从而扩大电容容量，提升存储单元的性能。

一种铁电三位存储器、制备方法及其操作方法-201910700991.7
发明人：江安全;汪超;柴晓杰;江钧 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L27/11507
摘要：本发明涉及一种铁电三位存储器、制备方法及其操作方法，所述铁电三位存储器包括铁电薄膜层、铁电存储单元和读写电极层，所述铁电存储单元设置于铁电薄膜层上方，所述读写电极层被间隙分割成两部分，形成第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极中至少之一搭在所述铁电存储单元表面的长度大于零且小于铁电存储单元的宽度。与现有技术相比，本发明具有三位信息存储功能，能够提高存储单元的存储密度，具有制备简单、成本低廉等优点。

半导体器件及其制作方法-202210042432.3
发明人：程仲良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/11507
摘要：一种制作半导体器件的方法包括在衬底上形成第一半导体层堆叠。第一半导体层堆叠包括交替的第一半导体条带与第二半导体条带。所述方法还包括移除第一半导体条带，以在第一半导体层堆叠中的第二半导体条带之间形成空隙。所述方法还包括在所述空隙中沉积介电结构层及第一导电填充材料以环绕第二半导体条带。此外，所述方法包括：移除第二半导体条带以形成第二组空隙；以及在所述第二组空隙中沉积第二导电填充材料。在一些实施例中，第一导电填充材料及第二导电填充材料被配置成形成电容器的第一电极及第二电极。

半导体器件及其制作方法-202210080636.6
发明人：程仲良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/11507
摘要：一种制作半导体器件的方法包括在衬底上形成第一半导体层堆叠。第一半导体层堆叠包括第一半导体条带与第二半导体条带的交替堆叠。第一半导体条带及第二半导体条带分别包括第一半导体材料及第二半导体材料。所述方法还包括移除第一半导体条带，以在第一半导体层堆叠中的第二半导体条带之间形成空隙。所述方法还包括在所述空隙中沉积介电结构层及第一导电填充材料以环绕第二半导体条带。此外，所述方法包括：移除第二半导体条带以形成第二组空隙；以及在所述第二组空隙中沉积第三半导体材料。

一种铁电存储器及其制备方法-202210281787.8
发明人：罗庆;王博平;袁鹏;吕舒贤;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/11507
摘要：本发明公开一种铁电存储器及其制备方法，涉及微电子制造及存储器技术领域，用于提供一种极化强度较高，数据保持时间可以满足业界提出的保持年限要求的铁电存储器。所述铁电存储器包括：下电极；形成在所述下电极上的铁电材料层，其中，所述下电极与所述铁电材料层的界面利用NH3进行了处理；形成在所述铁电材料层上的上电极。

铁电存储器器件及其制造方法-202210183999.2
发明人：卫怡扬;林子羽;李璧伸;金海光;林杏莲;匡训冲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/11507
摘要：本公开总体涉及铁电存储器器件及其制造方法。本文公开了可提高铁电存储器器件的保持性能的铁电堆叠。一种示例性铁电堆叠具有设置在第一电极和第二电极之间的铁电开关层(FSL)堆叠。铁电堆叠包括设置在第一FSL和第二FSL之间的阻挡层，其中阻挡层的第一晶体条件不同于第一FSL和/或第二FSL的第二晶体条件。在一些实施例中，第一晶体条件为非晶相，并且第二晶体条件为正交相。在一些实施例中，第一FSL和/或第二FSL包括第一金属氧化物，并且阻挡层包括第二金属氧化物。铁电堆叠可以是铁电电容器、晶体管的一部分和/或连接到铁电存储器器件中的晶体管，来以非易失性方式提供数据存储。

一种记忆装置及制造方法-202011575398.3
发明人：孔繁生;周华 -专利权人：光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/11507
摘要：本发明实施例提供的记忆装置及其制造方法中铁电存储器单元，其由铁电电容器和存储器单元晶体管构成，其中，该铁电电容器配置于所述多个位线与所述多个字线及所述极板线的交叉部、一个电极与所述极板线连接，该存储器单元晶体管源极与所述铁电电容器的另一电极连接、漏极与所述位线连接、栅极与所述字线连接，负载电容调节单元，其由负载电容和垂直纳米GAA场效应晶体管构成，其中，该负载电容配置于所述多个位线与所述位线控制线的交叉部、一个电极与接地电位连接，该垂直纳米GAA场效应晶体管源极与所述负载电容的另一电极连接、漏极与所述位线连接、栅极与所述位线控制线连接，能够减少FeRAM(铁电存储器)单元面积。

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申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/11507
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种存储器件、形成其的方法及包括存储单元的存储器件，所述存储器件包括半导体衬底、设置在半导体衬底之上的第一电极、设置在第一电极与半导体衬底之间的铁电层及将第一电极与铁电层隔开的第一应力源层。第一应力源层具有比铁电层的热膨胀系数大的热膨胀系数。

一种沟槽型铁电存储单元结构及制备方法-202210250439.4
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申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/11507
摘要：本发明涉及信息存储技术领域，提出了一种沟槽型铁电存储单元结构及制备方法。本发明包括，在制备工艺中采用鳍式场效应晶体管FinFET替代传统平面型晶体管，相比于传统平面晶体管，FinFET晶体管在抑制短沟道效应，减小漏电方面有着绝对的优势。本发明还包括，将铁电电容器折叠集成于漏极区域开设的沟槽表面及侧壁。相比于传统结构，本发明提出的铁电存储单元结构可以使存储单元尺寸进一步缩小。在同等的工艺节点下，只需在存储器件结构上做改变，即可实现数据信息容量的较大提升。结构简单，可广泛用于高密度铁电存储器芯片。

存储器单元、电容存储器结构及其方法-202111253377.4
发明人： P·波拉科夫斯基 -专利权人：铁电存储器股份有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/11507
摘要：根据各个方面，提供了一种存储器单元，该存储器单元包括：电容存储器结构，该电容存储器结构包括第一电极、第二电极和设置在第一电极与第二电极之间的存储器结构；以及场效应晶体管结构，该场效应晶体管结构包括耦合到电容存储器结构的栅极结构，其中电容存储器结构的第一电极包括具有第一功函数的第一电极材料，并且电容存储器结构的第二电极包括具有第二功函数的第二电极材料，其中第一功函数不同于第二功函数。

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发明人： S·F·穆勒 -专利权人：铁电存储器股份有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/11507
摘要：根据各个方面，提供了一种存储器单元，该存储器单元包括：第一电极；第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的存储器层，其中存储器层包括具有第一氧空位浓度的第一存储器部分和具有不同于第一氧空位浓度的第二氧空位浓度的第二存储器部分。

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发明人： J·奥克 -专利权人：铁电存储器股份有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/11507
摘要：提供了一种存储器单元布置，可包括：一个或多个存储器单元，一个或多个存储器单元中的每个存储器单元包括：电极柱，具有底面和顶面；存储器材料部，包围电极柱的侧面部；电极层，包围存储器材料部和电极柱的侧面部，其中电极柱、存储器材料部和电极层形成电容存储器结构；以及场效应晶体管结构，包括栅极结构，其中电极柱的底面面向栅极结构并导电连接至栅极结构，并且其中电极柱的顶面背向栅极结构。

一种有序铁电拓扑畴结构阵列的制备方法-201910634343.6
发明人：高兴森;陈洪英;田国 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L27/11507
摘要：本发明涉及一种有序铁电拓扑畴结构阵列的制备方法，其包括以下步骤：S1：采用脉冲激光沉积法在(001)方向的STO单晶衬底上沉积一层SRO导电层作为底电极；S2：选择Zr:Ti＝7:3的PZT靶材，采用脉冲激光沉积法在SRO导电层上沉积一层菱形相PZT薄膜；S3：转移单层PS小球至PZT薄膜表面作为掩模板，再用氧等离子体刻蚀处理，然后置于离子束刻蚀机中进行刻蚀，最后去除残留的单层PS小球掩模板，得到有序的菱形相PZT纳米点阵列，其为中心型拓扑畴结构。本发明制得的有序铁电拓扑畴结构阵列达到纳米级别，是一种高密度有序纳米点阵列结构。铁电拓扑畴结构之间相互独立，可由外加电场调控，同时具有良好的热稳定性。

存储器单元及其方法-202111196287.6
发明人： J·奥克;S·F·穆勒 -专利权人：铁电存储器股份有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/11507
摘要：根据各个方面，提供一种存储器单元，该存储器单元包括：电容存储器结构；以及场效应晶体管结构，包括栅极隔离；其中电容存储器结构与场效应晶体管结构彼此耦合以形成电容分压器，其中，栅极隔离包括至少一个栅极隔离层，至少一个栅极隔离层包括具有大于4的介电常数的材料，并且其中，至少一个栅极隔离层的厚度介于3nm至10nm的范围内。

剩余极化电容结构、存储器单元及其方法-202111196524.9
发明人： P·波拉科夫斯基 -专利权人：铁电存储器股份有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/11507
摘要：根据各个方面，一种形成一个或多个剩余极化电容结构的方法，该方法包括：形成一个或多个电容结构，一个或多个电容结构中的每个包括：一个或多个电极；一个或多个前体结构，与一个或多个电极相邻地设置，其中，一个或多个前体结构中的每个具有介于约1nm至100nm的范围内的第一尺寸和介于约1nm至约30nm的范围内的第二尺寸；以及随后基于一个或多个前体结构的前体材料的结晶来形成包括结晶剩余极化材料的一个或多个剩余极化结构。

存储器单元及其方法-202111196602.5
发明人： J·奥克;P·波拉科夫斯基;S·F·穆勒 -专利权人：铁电存储器股份有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/11507
摘要：根据各个方面，提供一种存储器单元，该存储器单元包括：电容存储器结构，包括第一电极；场效应晶体管结构，包括栅极电极；一个或多个绝缘体层；一个或多个源极/漏极接触结构，嵌入在一个或多个绝缘体层中以电接触场效应晶体管结构；以及连接结构，嵌入在一个或多个绝缘体层中的至少一个中，其中，连接结构将电容存储器结构的第一电极与场效应晶体管结构的栅极电极彼此导电连接并且是电浮动的，以及一个或多个附加电绝缘结构，配置为防止第一电极、栅极电极和连接结构的漏电流引发的充电。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[发明专利]存储器单元有效

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