[发明专利]晶片支承构造体有效
| 申请号： | 201680001162.4 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106233450B | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 竹林央史 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 丁文蕴;严星铁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片支承构造体。该晶片支承构造体(10)在陶瓷制的基板(20)的上表面配置有具备多个对晶片(W)进行载置的晶片载置部(14)的陶瓷制的托盘板(12)。基板(20)内置有基体侧电极(22)，托盘板(12)内置有托盘侧电极(18)。在该晶片支承构造体(10)中，在晶片载置部(14)载置有晶片(W)的状态下对施加于基体侧电极(22)以及托盘侧电极(18)的电压进行调整。由此，产生将基板(20)和托盘板(12)相互拉近的静电的力，并且产生将托盘板(12)和晶片(W)相互拉近的静电的力。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 支承 构造 | ||
【主权项】：
1.一种晶片支承构造体，在陶瓷制的基板的上表面配置有陶瓷制的托盘板，该托盘板具备多个对晶片进行载置的晶片载置部，所述晶片支承构造体的特征在于，所述基板内置有基体侧电极，所述托盘板内置有托盘侧电极，在所述晶片载置部载置有所述晶片的状态下对施加于所述基体侧电极以及所述托盘侧电极的电压进行调整，由此产生将所述基板和所述托盘板相互拉近的静电的力，并且产生将所述托盘板和所述晶片相互拉近的静电的力，所述托盘侧电极为具有负极和正极的双极构造，各晶片载置部中所述负极与所述正极的面积比为0.7～1：0.7～1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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