[实用新型]基于石墨烯纳米墙/硅的室温红外探测器有效

专利信息
申请号: 201620985510.3 申请日: 2016-08-30
公开(公告)号: CN205960006U 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 魏大鹏;刘相志;申钧;杨俊;孙泰;于乐泳;史浩飞;杜春雷 申请(专利权)人: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
主分类号: H01L31/109 分类号: H01L31/109;H01L31/028;H01L31/18
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司11275 代理人: 王贵君
地址: 400714 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 实用新型公开了一种基于石墨烯纳米墙/硅的室温红外探测器,所述探测器由下至上依次包括液态镓铟合金电极层、N型硅片层、二氧化硅层、石墨烯纳米墙电极层,所述石墨烯纳米墙与N型硅片层之间至少有一处接触,接触处即为探测器的有源区域。本实用新型公开的基于石墨烯纳米墙/硅的室温红外探测器结合了石墨烯纳米墙的高导电、低电阻率等优良性质,所述探测器主要利用了石墨烯纳米墙层对红外光进行吸收,石墨烯纳米墙层可以在室温下对紫外‑可见‑近、中、远红外光进行宽波段的吸收,石墨烯纳米墙层对近中远红外波段的光吸收后,产生电子‑空穴对,形成空间电场区,从而实现了红外探测器在室温下对红外光的探测。
搜索关键词: 基于 石墨 纳米 室温 红外探测器
【主权项】:
一种基于石墨烯纳米墙/硅的室温红外探测器,其特征在于,由下至上依次包括液态镓铟合金电极层、N型硅片层、二氧化硅层、石墨烯纳米墙电极层,所述石墨烯纳米墙与N型硅片层之间至少有一处接触,接触处即为探测器的有源区域,所述N型硅片层厚度为10‑500μm,二氧化硅层厚度为100‑500nm,石墨烯纳米墙电极层厚度为100nm‑10μm。
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