[实用新型]基于石墨烯纳米墙/硅的室温红外探测器有效
申请号: | 201620985510.3 | 申请日: | 2016-08-30 |
公开(公告)号: | CN205960006U | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 魏大鹏;刘相志;申钧;杨俊;孙泰;于乐泳;史浩飞;杜春雷 | 申请(专利权)人: | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/028;H01L31/18 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司11275 | 代理人: | 王贵君 |
地址: | 400714 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种基于石墨烯纳米墙/硅的室温红外探测器,所述探测器由下至上依次包括液态镓铟合金电极层、N型硅片层、二氧化硅层、石墨烯纳米墙电极层,所述石墨烯纳米墙与N型硅片层之间至少有一处接触,接触处即为探测器的有源区域。本实用新型公开的基于石墨烯纳米墙/硅的室温红外探测器结合了石墨烯纳米墙的高导电、低电阻率等优良性质,所述探测器主要利用了石墨烯纳米墙层对红外光进行吸收,石墨烯纳米墙层可以在室温下对紫外‑可见‑近、中、远红外光进行宽波段的吸收,石墨烯纳米墙层对近中远红外波段的光吸收后,产生电子‑空穴对,形成空间电场区,从而实现了红外探测器在室温下对红外光的探测。 | ||
搜索关键词: | 基于 石墨 纳米 室温 红外探测器 | ||
【主权项】:
一种基于石墨烯纳米墙/硅的室温红外探测器,其特征在于,由下至上依次包括液态镓铟合金电极层、N型硅片层、二氧化硅层、石墨烯纳米墙电极层,所述石墨烯纳米墙与N型硅片层之间至少有一处接触,接触处即为探测器的有源区域,所述N型硅片层厚度为10‑500μm,二氧化硅层厚度为100‑500nm,石墨烯纳米墙电极层厚度为100nm‑10μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的