[实用新型]一种解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构有效
| 申请号： | 201620800660.2 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN205864238U | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08;H02M1/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 311228 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构，包括脉冲变压器以及设置在脉冲变压器副边的二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2、电阻RON1、电阻RON2、IGBT1、IGBT2，所述二极管D1和所述二极管D2是肖特基二极管，所述二极管D1与电阻R1串联后反并联在所述电阻RON1两端，并联后连接IGBT1的门极；所述二极管D2与所述电阻R2串联后反并联在所述电阻RON2两端，并联后连接IGBT2的门极，所述IGBT2的发射极接地，IGBT2的集电极连接IGBT1的发射极。与现有技术相比，本实用新型的解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构，可有效地减少米勒效应，消除了电路中一个IGBT管导通瞬间通过寄生的米勒电容而对另一个管子的栅极电压的影响，电路结构简单，可实施性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 拓扑 igbt 米勒 效应 驱动 结构 | ||
【主权项】：
一种解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构，其特征在于，包括脉冲变压器以及设置在脉冲变压器副边的二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2、电阻RON1、电阻RON2、IGBT1、IGBT2，所述二极管D1和所述二极管D2是肖特基二极管，所述二极管D1与电阻R1串联后反并联在所述电阻RON1两端，并联后连接IGBT1的门极；所述二极管D2与所述电阻R2串联后反并联在所述电阻RON2两端，并联后连接IGBT2的门极，所述IGBT2的发射极接地，IGBT2的集电极连接IGBT1的发射极。
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