[实用新型]一种基于多孔硅的热整流元件有效
| 申请号： | 201620665143.9 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN205900528U | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 郑金成;付攀 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L21/48 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙)35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种基于多孔硅的热整流元件，涉及热整流元件。设有硅基片，在硅基片的非抛光面通过磁控溅射的方法镀一层铝膜，通过电化学腐蚀法在硅基片的抛光面腐蚀形成多孔硅层。通过电化学腐蚀法制备多孔硅，得到一个非对称性结构的元件，通过NETZSCH公司的LFA 457对元件在100～600℃条件下的热扩散系数进行测量，最后经过简单计算得到这种非对称性结构的热整流系数。结构简单、制作工艺成熟、价格低廉，弥补了现有的以多孔硅作为热整流元件的不足，在较高温度下具有热整流效应，大大扩展了多孔硅作为热整流元件的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多孔 整流 元件 | ||
【主权项】：
一种基于多孔硅的热整流元件，其特征在于设有硅基片，在硅基片的非抛光面有一层铝膜，在硅基片的抛光面有多孔硅层；所述铝膜的厚度为200nm；硅基片的尺寸为12mm×12mm，厚度为530μm；所述多孔硅层的整体半径为5.5mm，厚度为17μm，平均孔径为8.4nm。
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