[实用新型]一种超宽带高性能六位数控衰减器芯片

摘要

本实用新型属于电子通信技术领域，尤其涉及一种超宽带高性能六位数控衰减器芯片。本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用以满足在超宽带应用场景下能保持高性能的超宽带高性能六位数控衰减器芯片，包括第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6、第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、射频输入IN、射频输出OUT。本实用新型增加快速清零结构，让开关速度显著减小，从而提高系统效率，并且采用负压逻辑控制电路控制芯片额定衰减度，衰减度灵活、范围广。

主权项

一种超宽带高性能六位数控衰减器芯片，其特征在于，包括第一控制电平、第二控制电平、第三控制电平、第四控制电平、第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6、第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、射频输入IN、射频输出OUT、第一接地GND、第二接地GND、第三接地GND；所述第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6、第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8均具有栅极、漏极、源极；所述第一P型MOS管Q1的漏极、与第二P型MOS管Q2的源极连接,所述第二P型MOS管Q2的漏极与第三P型MOS管Q3的源极连接，所述第三P型MOS管Q3的漏极与第四P型MOS管Q4的源极连接，所述第四P型MOS管Q4的漏极与第五P型MOS管Q5的源极连接，所述第五P型MOS管Q5的漏极与第六P型MOS管Q6的源极连接，所述第六P型MOS管Q6的漏极与第七P型MOS管Q7的源极连接，所述第七P型MOS管Q7的漏极与第八P型MOS管Q8的源极连接，所述第八P型MOS管Q8的漏极与第一P型MOS管Q1的源极连接；所述第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2的栅极均与第一控制电平连接，所述第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4的栅极均与第二控制电平连接，第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6的栅极均与第三控制电平连接，第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8的栅极均与第四控制电平连接；所述第一电阻R1上端连接在第二P型MOS管Q2的漏极与第三P型MOS管Q3的源极之间，下端连接在第四P型MOS管Q4的源极与第五P型MOS管Q5的漏极之间，所述第二电阻R2右端连接在第一电阻R1上端，左端与第三电阻R3左端，所述第三电阻R3右端连接在第一电阻R1下端；所述第一接地GND连接在第三P型MOS管Q3的漏极与第四P型MOS管Q4的源极之间，所述第二接地GND连接在第二电阻R2与第三电阻R3之间，所述第三接地GND连接在第七P型MOS管Q7的源极与第八P型MOS管Q8的漏极之间；所述射频输入IN连接在第一P型MOS管Q1的漏极、与第二P型MOS管Q2的源极之间，所述射频输出OUT连接在第五P型MOS管Q5的源极与第六P型MOS管Q6的漏极之间。