[实用新型]一种K波段高性能微波收发芯片有效
申请号: | 201620597439.1 | 申请日: | 2016-06-17 |
公开(公告)号: | CN205670770U | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | 罗力伟;王祈钰 | 申请(专利权)人: | 四川益丰电子科技有限公司 |
主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种K波段高性能微波收发芯片,包括发射通道和接收通道,所述发射通道由射频输入管脚COM1、开关K2、3级功率放大电路、开关K1组成、射频输出通道COM2组成;所述接收通道由射频输出管脚COM2、开关K3、3级低噪声放大器、开关K4组成和射频输入管脚COM1组成;在3级低噪声放大器中,加入级间并联电感,电路中采用微带线进行了匹配网络的设计,芯片中间采用梯度的孔径模型,封装引脚端设置有解耦电容;本实用新型提供的收发芯片噪声系数低、功率增益高,用于射频信号接收和发射,对于雷达、通信、收发模拟应用等领域非常实用。 | ||
搜索关键词: | 一种 波段 性能 微波 收发 芯片 | ||
【主权项】:
一种K波段高性能微波收发芯片,包括发射通道和接收通道,其特征在于,所述发射通道由射频输入管脚COM1、开关K2、3级功率放大电路、开关K1组成、射频输出通道COM2组成;所述接收通道由射频输出管脚COM2、开关K3、3级低噪声放大器、开关K4组成和射频输入管脚COM1组成;所述3级低噪声放大器内部电路采用级间并联电感的方式,设置有漏极负偏压VDL;所述3级功率放大器内部电路设置有栅极偏压VG、漏极正偏压VDP。
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