[实用新型]磁场发生器及具有该磁场发生器的磁共振设备有效
| 申请号： | 201620489753.8 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN205787069U | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 杜健军 | 申请（专利权）人： | 杜健军 |
| 主分类号： | G01R33/385 | 分类号： | G01R33/385;G01R33/421 |
| 代理公司： | 深圳市惠邦知识产权代理事务所44271 | 代理人： | 满群 |
| 地址： | 518110 广东省深圳市龙华新区观澜街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种磁场发生器及具有该磁场发生器的磁共振设备，包括梯度磁场发生器和高频谐振腔天线，高频谐振腔天线包括电容、分别与电容各自对应端电连接的第一高频屏蔽层和第二高频屏蔽层以及第一高频屏蔽层和第二高频屏蔽层之间的谐振腔内的填充介质层，梯度磁场发生器为嵌入式梯度磁场发生器，第二高频屏蔽层屏蔽梯度磁场发生器嵌入部分和未嵌入部分。磁场发生器采用去涡流设计，能有效减少涡流损耗，提高效率；梯度磁场发生器嵌入到高频谐振腔天线的谐振腔内，可以在相同的厚度下提升发射线圈的效率，且梯度线圈的性能没有任何影响，有利于成像质量；在相同效率下，节省了空间，节省了成本，或相同成本制造的磁体的给病人的空间可以更大。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 发生器 具有 磁共振 设备 | ||
【主权项】：
一种磁场发生器，包括梯度磁场发生器和高频谐振腔天线，其特征在于，所述高频谐振腔天线包括电容、分别与电容各自对应端电连接的第一高频屏蔽层和第二高频屏蔽层以及所述第一高频屏蔽层和第二高频屏蔽层之间的谐振腔内的填充介质层；所述梯度磁场发生器为嵌入式梯度磁场发生器，所述第二高频屏蔽层屏蔽所述梯度磁场发生器的嵌入部分和未嵌入部分。
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