[实用新型]常闭型电子器件

摘要

本公开涉及一种常闭型电子器件，包括半导体本体(15)，包括在缓冲层(11)之上延伸的异质结构(7)；凹陷栅电极(14)，在与平面(XY)正交的方向(Z)上延伸；第一工作电极(16)和第二工作电极(18)，位于栅电极(14)的对应侧处；以及有源区域(15a)，在导通状态下容纳用于使电流在第一和第二工作电极之间流动的导电路径。电阻区域(6)至少部分地在缓冲层中的有源区域中延伸，并且被设计为在器件处于截止状态下阻碍电流在第一和第二工作电极之间流动。栅电极(14)在半导体本体(15)中延伸到至少等于由电阻区域达到的最大深度的深度。

主权项

一种常闭型电子器件，其特征在于，包括：半导体本体(15)，位于平面(XY)中，包括缓冲区域(11)和在所述缓冲区域(11)之上延伸的异质结构(7)；凹陷类型的栅电极(14)，沿着与所述平面(XY)正交的方向(X)至少部分地穿过所述缓冲区域(11)在所述半导体本体(15)中延伸；第一工作电极(16)和第二工作电极(18)，在所述栅电极(14)的相应侧处延伸；以及有源区域(15a)，在所述栅电极旁边和下侧在所述缓冲区域(11)中延伸，并且被配置为在其中所述栅电极(14)和所述第一工作电极(16)之间的电压大于阈值电压(Vth)的第一操作条件下容纳用于在所述第一工作电极和所述第二工作电极之间的电流流动的导电路径，其特征在于，所述缓冲区域(11)中的所述有源区域容纳电阻区域(6)，所述电阻区域被配置为在其中所述栅电极(14)和所述第一工作电极(16)之间的电压低于所述阈值电压(Vth)的第二操作状态下阻碍电流在所述第一工作电极和所述第二工作电极之间流动，其中，所述电阻区域(6)至少部分地在所述有源区域(15a)中延伸，并且所述栅电极(14)在所述半导体本体(15)中沿着所述方向(Z)延伸至等于或大于所述电阻区域(6)达到的最大深度的深度。