[实用新型]一种控制石墨烯晶核生长的载具

摘要

本实用新型公开一种控制石墨烯晶核生长的载具。载具包括上盖、盒子和用于生长石墨烯的平直的金属基底，上盖上开有小孔，上盖和盒子均由石墨、石英、氮化硅或碳化硅等熔点大于1000摄氏度的耐高温材料制成；金属基底放置于盒子的底座上后金属基底与盖在盒子上的上盖下表面距离小于等于2mm。该载具的使用方法包括金属基底预处理、金属基底退火、石墨烯成核、冷却和氧化过程。本实用新型在成核阶段载具的开孔大小对反应气体的起到限流作用，可以控制石墨烯在铜箔上的成核区域和成核密度；通过开孔大小和各种生长参数控制减小石墨烯的成核密度从而实现大单晶石墨烯的制备；通过CVD管式炉控制气体比例和压强使石墨烯单晶或多晶面积长大。

主权项

一种控制石墨烯晶核生长的载具，其特征在于，是一种耐高温的载具，包括上盖、盒子和用于生长石墨烯的平直的金属基底，上盖上开有小孔，上盖和盒子均由石墨、石英、氮化硅或碳化硅制成；上盖下表面为平直的，盒子包括底座和四周的围壁，盒子上端开口，底座为平的底壁；金属基底大小小于底座的大小，用于生长石墨烯的平直的金属基底放置于盒子的底座上后金属基底与盖在盒子上的上盖下表面距离小于等于2mm；盒子四周的围壁等高，上盖和盒子四周的围壁的上边缘贴合；可将包含金属基底的载具一起放入CVD管式炉的石英管内进行石墨烯生长。