[实用新型]背接触异质结太阳电池有效
| 申请号： | 201620043004.2 | 申请日： | 2016-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN205723578U | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 包健;王栋良;舒欣;陈奕峰;杨阳;张学玲 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/0376;H01L31/0352;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种背接触异质结太阳电池，包括硅基体层，其特征在于：在硅基体层的前表面依次设置前表面场和减反层，在硅基体层的背表面设置本征非晶硅钝化层，在本征非晶硅钝化层上间隔地设置有P型非晶硅层和N型非晶硅层，P型非晶硅层和N型非晶硅层上分别设置有透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上设置有电极，所述P型非晶硅层的厚度为5‑20nm，宽度为100‑1000μm，N型非晶硅层的厚度为5‑20nm，宽度为100‑1000μm，相邻的P型非晶硅层的中心点与N型非晶硅层的中心点间隔150‑3000μm，在所述P型非晶硅层与N型非晶硅层之间设置有绝缘隔离层。本实用新型可防止漏电流的产生，提升太阳电池的开路电压。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 异质结 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种背接触异质结太阳电池，包括硅基体层，其特征在于：在硅基体层(1)的前表面依次设置N型前表面场(2)和减反层(3)，在硅基体层(1)的背表面设置本征非晶硅钝化层(4)，在本征非晶硅钝化层(4)上间隔地设置有P型非晶硅层(5)和N型非晶硅层(6)，P型非晶硅层(5)和N型非晶硅层(6)上分别设置有透明导电薄膜层(7)，透明导电薄膜层(7)上设置有电极，所述P型非晶硅层(5)的厚度为5‑20nm，宽度为100‑1000μm，N型非晶硅层(6)的厚度为5‑20nm，宽度为100‑1000μm，相邻的P型非晶硅层(5)的中心点与N型非晶硅层(6)的中心点间隔150‑3000μm，在所述P型非晶硅层(5)与N型非晶硅层(6)之间设置有绝缘隔离层(8)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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