[发明专利]低压配电系统专用电源

摘要

本发明公开了一种低压配电系统专用电源，包括整流滤波模块、功率变换模块、漏感吸收模块、控制模块和输出及EMC模块；整流滤波模块是将交流电转换成脉动直流电压；功率变换模块用于将高压的电能以磁场的方式存储在功率变换器中，再传递到输出侧变换成低压电源；漏感吸收模块用于保护功率变换模块中的元器件；控制模块连接整流滤波模块和功率变换模块，用于监测输出电压，确定功率变换模块中NMOSFET芯片导通和断开时间；输出模块与功率变换模块连接，利用变压器输出适用电压。该配电系统专用电源能在较高的电压等级下工作，具有较强的隔离能力，且能源利用效率高。

主权项

一种低压配电系统专用电源，包括整流滤波模块、功率变换模块、漏感吸收模块、控制模块和输出及EMC模块；所述整流滤波模块是将交流电转换成脉动直流电压，为所述功率变模块和控制模块供电；其特征在于：所述功率变换模块包括五个电阻器R7～R11、两个N型MOSFET芯片Q1、Q2、TVS管D17～D19和功率变压器TP1；其连接关系如下：五个电阻器R7～R11串联，一端与电源POWER I端连接，另一端与TVS管D17阴极连接，TVS管D17的阳极与TVS管D18阴极相连接，TVS管D18的阳极与参考点相连接；功率变压器TP1的输入线圈的输入管脚1与电压POWER I端连接，输出管脚2与N型MOSFET芯片Q1的漏极相连接，N型MOSFET芯片Q1的栅极与电阻器R10、R11的中间点以及TVS管D19的阴极相连接；TVS管D19的阳极与N型MOSFET芯片Q1的源极以及N型MOSFET芯片Q2的漏极相连接，N型MOSFET芯片Q2的栅极和源极分别接入所述控制模块；所述功率变压器TP1的反馈线圈的输出管脚3、输出管脚4分别连接POWE端和参考点；其输出线圈的输入管脚5接入所述输出及EMC模块，输出管脚6接地；所述漏感吸收模块连接在所述电源POWER I端和N型MOSFET芯片Q1的漏极之间，用于吸收N型MOSFET芯片Q1和N型MOSFET芯片Q2同时导通或断开时所产生的反向电动势，防止NMOSFET芯片Q1和NMOSFET芯片Q2被击穿；所述控制模块连接整流滤波模块和功率变换模块，用于监测功率变压器TP1的输出电压，确定N型MOSFET芯片Q2的导通和断开时间；所述输出模块与所述功率变换模块连接，利用功率变压器TP1输出适用电压。