[发明专利]改善台阶侧壁的薄膜刻蚀不完全的结构及方法有效
| 申请号： | 201611245039.5 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106629573B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭;李铭;周炜捷 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善台阶侧壁的薄膜刻蚀不完全的结构及方法，该结构包括：在台阶侧壁依次设置的且高度递减的至少一个支撑层，使得支撑层形成的结构的顶部形成递减缓变坡度，从而使得后续沉积的薄膜在台阶侧壁处也呈缓变递减的坡度，台阶侧壁的薄膜的厚度与台阶表面的薄膜的厚度较为一致，那么在后续刻蚀台阶侧壁的薄膜时，可以有效避免现有的由于侧壁薄膜较厚而且横向刻蚀速率较低，导致台阶侧壁的薄膜刻蚀不完全的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 台阶 侧壁 薄膜 刻蚀 不完全 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善台阶侧壁的薄膜刻蚀不完全的结构，其特征在于，包括：在台阶侧壁依次设置的且高度递减的至少一个支撑层，使得支撑层形成的结构的顶部形成递减缓变坡度；相邻的支撑层中，靠近台阶侧壁的一个支撑层的材料和与之相邻的远离台阶侧壁的一个支撑层的材料的刻蚀选择比小于1。
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