[发明专利]一种高散热性能石墨烯复合材料在审
申请号: | 201611235908.6 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN106584968A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 杨云胜;杨星;郭颢;蒋伟良 | 申请(专利权)人: | 镇江博昊科技有限公司 |
主分类号: | B32B9/00 | 分类号: | B32B9/00;B32B37/10;B32B38/18 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人: | 任立 |
地址: | 212009 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种高散热性能石墨烯复合材料,其制备方法为(1)将SiC基底置于化学气相沉积反应腔体中,控制化学气相沉积反应腔体的绝对真空度大于104帕,1200‑1400℃下在SiC基底表面生长4‑8微米的碳化硅外延层;(2)控制化学气相沉积反应腔体的温度降低至1000℃,在惰性气体氛围下对化学气相沉积反应腔体从1000℃加热升温至1600℃,使碳化硅外延层结构分解及重组,在SiC基底上获得多层石墨烯膜;(3)将多层石墨烯膜剥离,使用至少两层的多层石墨烯膜相互叠加,压合成型即可得到石墨烯复合材料,柔韧性好,散热效果好,大幅提高了使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 散热 性能 石墨 复合材料 | ||
【主权项】:
一种高散热性能石墨烯复合材料,其特征为,其制备方法为:(1)将SiC基底置于化学气相沉积反应腔体中,控制化学气相沉积反应腔体的绝对真空度大于104帕,1200‑1400℃下在SiC基底表面生长4‑8微米的碳化硅外延层;(2)控制化学气相沉积反应腔体的温度降低至1000℃,在惰性气体氛围下对化学气相沉积反应腔体从1000℃加热升温至1600℃,使碳化硅外延层结构分解及重组,在SiC基底上获得多层石墨烯膜;(3)将多层石墨烯膜剥离,使用至少两层的多层石墨烯膜相互叠加,压合成型即可得到石墨烯复合材料。
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