[发明专利]基于GaN光电阴极的真空紫外探测器的制备方法在审
| 申请号： | 201611230343.2 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108258080A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王晓辉 | 申请（专利权）人： | 成都莹鑫海科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明基于GaN光电阴极的真空紫外探测器的制备方法，基于GaN光电阴极的真空紫外探测器，包括衬底、缓冲层、发射层、激活层，包括不同Al组分的变化，以及不同p型掺杂结构，包括均匀掺杂、梯度掺杂、指数掺杂、Delta掺杂；一种基于GaN光电阴极的真空紫外探测器，包括真空光电管和像增强器两种结构模式。 | ||
| 搜索关键词： | 真空紫外探测器 光电阴极 制备 真空光电管 结构模式 均匀掺杂 梯度掺杂 像增强器 指数掺杂 发射层 缓冲层 激活层 衬底 | ||
【主权项】：
1.本发明基于GaN光电阴极的真空紫外探测器及GaN基光电阴极材料，其特征在于利用GaN基光电阴极为核心，制备出的真空紫外探测具有量子效率高、耐高温、抗辐射、稳定性好等优点，相比传统的真空紫外探测器性能大大提高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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