[发明专利]一种热敏薄膜电阻的制备方法

摘要

本发明公开了一种热敏薄膜电阻的制备方法，该制备方法简单易操作，设备要求低、制备简单、重复性好的优点，具有较好的推广价值，SiO2膜做隔热层在热处理时可以加温至1000度以上，更加有效的改善镍的结晶结构。

主权项

一种热敏薄膜电阻的制备方法，该方法包括如下步骤：（1）处理衬底研磨抛光并清洗Si衬底，备用；所述研磨抛光，可将衬底先在600目的金刚石砂轮盘上进行粗磨10min，然后在1200目的金刚石砂轮盘上进行细磨10min，再用W2.5的金刚石抛光粉进行抛光至试样表面均匀光亮，所述超声清洗，可将研磨抛光后的衬底按以下顺序清洗，丙酮超声清洗5min→无水乙醇超声清洗5min→烘干待用，所述离子源清洗，可采用霍尔离子源对衬底进行清洗5min，压强为2×10‑2Pa，衬底温度为300℃，氩气通量为10sccm，偏压为‑100V，阴极电流为29.5A，阴极电压为19V，阳极电流为7A，阳极电压为80V，以清除衬底表面的吸附气体以及杂质；（2）采用化学气相淀积方法在硅片的抛光面生长SiO2膜；在SiO2膜表面上溅射Ni膜；在Ni膜表面上溅射Cu膜；在Cu膜表面上溅射Al膜；（3）旋涂正性光刻胶BPEPG533，对Al膜进行光刻、显影；用磷酸湿法腐蚀Al膜；所述磷酸湿法腐蚀液为体积比为（50‑40）∶（2‑1）∶（10‑5）∶（9‑7）的52％质量浓度的H3PO4溶液、68％质量浓度HNO3溶液、75％质量浓度CH3COOH溶液、H2O形成的混合溶液；（4）用铜湿法腐蚀液腐蚀CU膜，形成铜连接层，去除光刻胶；所述铜酸湿法腐蚀液是体积比为1∶（5‑6）的20％质量浓度(NH4)2S2O8溶液、H2O形成的混合溶液；（5）旋涂正性光刻胶BPEPG533，对Ni膜进行光刻、显影，用王水并在温度保持为30℃下对Ni膜进行腐蚀，用丙酮去除光刻胶形成镍丝热敏薄膜电阻；在温度为600‑800℃氮气氛围中进行热处理，改善结晶结构，保温时间为6‑8小时，划片，得到产品。