[发明专利]一种硅片电阻率无接触法测试过程中校准的方法在审
| 申请号： | 201611213855.8 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN108241135A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 刘佐星;刘斌;肖清华;白鸽玲;程凤伶;杜娟;鲁进军;蔡丽艳;刘俊;卢立延 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | G01R35/00 | 分类号： | G01R35/00;G01R27/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片电阻率无接触法测试过程中校准的方法。该方法包括以下步骤：(1)测试电阻率之前的校准过程中，先对电位器零点调零；(2)根据待测试的硅片电阻率值范围，选取标准样片；(3)在选定样片标准值的基础上，进行翻倍输入并进行电阻率校准。采用该方法可以用较小的标准样片值校准出较大的可测试范围值，从而避免硅片测试电阻率校准过程中频繁选择多种范围值的电阻率样品，减少了电阻率样品的购买和制作，降低了样片制作成本，简化了校准选样的过程，提高了测试效率，从而提高劳动生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 硅片电阻率 校准 标准样片 测试过程 校准过程 无接触 测试电阻率 测试效率 硅片测试 电位器 可测试 调零 制作 劳动生产率 测试 购买 | ||
【主权项】：
1.一种硅片电阻率无接触法测试过程中校准的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)测试电阻率之前的校准过程中，先对电位器零点调零；(2)根据待测试的硅片电阻率值范围，选取标准样片；(3)在选定样片标准值的基础上，进行翻倍输入并进行电阻率校准。
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