[发明专利]一种联吡啶-钴修饰的WO3纳米片光电极的制备方法有效
| 申请号： | 201611207744.6 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106757123B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 马德琨;姜子龙;马春艳;黄少铭 | 申请（专利权）人： | 温州大学 |
| 主分类号： | C25B1/04 | 分类号： | C25B1/04;C25B11/04;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 黄浩威 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市瓯海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种联吡啶‑钴修饰的WO3纳米片光电极的制备方法，主要包括合成WO3纳米片光电极以及联吡啶‑钴修饰的WO3纳米片光电极两个步骤。本发明有益效果在于：所需原料来源丰富、路线简单、方法重复性好；本发明制备的材料反应高效，操作简单，可用于光电催化分解水产氧，产氧时的法拉第效率可达78％，具有很好的实用价值和应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 光电极 纳米片 联吡啶 修饰 制备 光电催化 法拉第 水产氧 可用 合成 分解 应用 | ||
【主权项】：
1.一种联吡啶‑钴修饰的WO3纳米片光电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1合成WO3纳米片光电极：S1.1将W网依次置于氢氧化钠溶液、丙酮溶液中超声；S1.2在反应釜中加入浓硝酸和浓盐酸，然后放入经过步骤S1.1处理的W网进行反应；S1.3将步骤S1.2制得的产物依次用蒸馏水、无水乙醇冲洗，并用超声清洗仪超声，可制得WO3·H2O，然后烘干、煅烧，即可得WO3纳米片光电极；S2合成联吡啶‑钴修饰的WO3纳米片光电极：S2.1将4,4‑联吡啶溶于去离子水，制得溶液A；将六水合硝酸钴溶于去离子水，制得溶液B；S2.2向另一反应釜中加入去离子水，依次加入溶液A和溶液B，搅拌，放入步骤S1制得的WO3纳米片光电极进行反应；S2.3反应结束后用去离子水清洗该电极，置于干燥箱中烘干即可获得联吡啶‑钴修饰的WO3纳米片光电极。
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