[发明专利]一种低成本碳化钽涂层的制备方法在审
| 申请号： | 201611179306.3 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106699228A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 袁振洲;刘欣宇;何丽娟 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50;C04B35/56;C04B35/645 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 尹振启,张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低成本碳化钽涂层的制备方法，所述方法为首先对基体进行预处理，然后采用碳化钽、烧结助剂、粘接剂与溶剂配置悬浊液，将悬浊液均匀喷涂或刷涂于所述基体表面，最后将喷好或刷好涂层的基体进行预温与烧结处理，即可在基体上得到一层厚度均匀、结构致密的碳化钽涂层。本发明可以在基体表面包敷一层完全致密结构的TaC涂层，该涂层可以使基体表面受到很大程度的隔离与保护；可用于晶体、半导体生产用装置或部件的高性能涂层的制备，防止晶体生长时装置或部件表层颗粒进入晶体内，进而造成晶体缺陷。与CVD沉积技术相比，本发明工艺过程成本低、相对简单，易操作，重复性好，可直接在材料表面形成成致密、无裂纹的涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低成本 碳化 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低成本碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，所述方法为：首先对基体进行预处理，然后采用碳化钽、烧结助剂、粘接剂与溶剂配置悬浊液，将悬浊液均匀喷涂或刷涂于所述基体表面，最后将喷好或刷好涂层的基体进行预温与烧结处理，即可在基体上得到一层厚度均匀、结构致密的碳化钽涂层。
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