[发明专利]一种N型双面太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201611168036.6 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106409989A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张三洋;魏青竹;吴晨阳;刘晓瑞;陆俊宇;连维飞;倪志春 | 申请（专利权）人： | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 孙仿卫,李萍 |
| 地址： | 215542 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型双面太阳电池的制备方法，降低了电极接触电阻，提升了电池的效率；本发明还公开了一种N型双面太阳电池，其电极接触电阻较低，电池效率较高。一种N型双面太阳电池的制备方法，包括S1、制绒；S2、分别对制绒后硅片的正面进行硼扩散形成硼扩散层、背面进行磷扩散形成磷扩散层；在硅片正面的硼扩散层上沉积氧化铝层，在所述氧化铝层上沉积氮化硅层形成叠层的氧化铝/氮化硅钝化层；在硅片背面的磷扩散层上沉积氮化硅钝化减反射膜；S3、将硅片正面的对应于电池正面各副栅线电极处的氧化铝/氮化硅钝化层通过刻蚀去除形成刻蚀槽；S4、丝网印刷烧结以制备正面和背面电极，正面的副栅线电极覆盖形成在各刻蚀槽处。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种N型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：S1、对N型单晶硅片进行制绒；S2、分别对制绒后硅片的正面进行硼扩散形成硼扩散层、背面进行磷扩散形成磷扩散层；在硅片正面的硼扩散层上沉积氧化铝层，在所述氧化铝层上沉积氮化硅层形成叠层的氧化铝/氮化硅钝化层；在硅片背面的磷扩散层上沉积氮化硅钝化减反射膜；S3、将硅片正面的对应于电池正面各副栅线电极处的氧化铝/氮化硅钝化层通过刻蚀去除形成刻蚀槽；S4、丝网印刷烧结以制备正面和背面电极，其中正面的副栅线电极覆盖形成在各刻蚀槽处。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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