[发明专利]一种基于多小孔缺陷直接耦合微腔的高性能光子晶体传感器结构在审

专利信息
申请号: 201611147241.4 申请日: 2016-12-13
公开(公告)号: CN106772794A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 田慧平;王春红;丁兆祥;付中原;孙富君 申请(专利权)人: 北京邮电大学
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100876 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种基于多小孔缺陷直接耦合微腔的高性能光子晶体传感器结构。本发明将光子晶体中间一行两侧空气孔移除只剩中间七个。在中心空气孔与其周围六个空气孔构成的六个等边三角形中心的位置分别放置一个小空气孔,将中心空气孔移除,形成多小孔缺陷腔。本发明通过在缺陷腔中引入多个小孔,增加缺陷腔区域的表面积以增加缺陷腔的品质因数Q和灵敏度S,最终达到提高光子晶体传感器性能的目的。多小孔缺陷腔的品质因数Q最高可达71881,灵敏度可达236nm/RIU,因此本发明提供的光子晶体直接耦合微腔传感器性能参数FOM可高达11238,较其他直接耦合微腔传感器提高了两个数量级,是一种高性能的光子晶体传感器结构,可用于生物传感或气体传感领域。
搜索关键词: 一种 基于 小孔 缺陷 直接 耦合 性能 光子 晶体 传感器 结构
【主权项】:
一种基于多小孔缺陷直接耦合微腔的高性能光子晶体传感器结构的实现方法,其特征在于:该光子晶体传感器是基于空气孔三角晶格二维光子晶体结构,即空气孔硅介质背景结构,其中硅的折射率为3.48;在光子晶体中引入一个多小孔结构的缺陷微腔并与W1波导直接耦合构成光子晶体传感器。
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