[发明专利]一种微电力机械系统振动射流执行器的制备方法

摘要

本发明公开了一种微电力机械系统振动射流执行器的制备方法，包括以下步骤S1、在衬底上制作N‑GaN层和P‑GaN层；S2、在P‑GaN层上镀膜形成氧化铟锡层，在氧化铟锡层上生长氮化硅膜；S3、在氮化硅薄膜上得到下电极图形；S4、将显影后的硅片在反应离子刻蚀中采用氧气去底胶；S5、把基片置于丙酮器皿中，得到电极图形；S6、在第一片衬底背面涂厚光刻胶；S7、将整个衬底放入浓磷酸与浓硫酸的混合溶液中进行腐蚀，去除拍动片下的多余部分的硅衬底；S8、在第二片硅片的金膜表面涂光学光刻胶，将第一片硅片的背面与涂有光刻胶的第二片硅片粘合；S9、分别在上下硅片的金膜上焊接电极引线。

主权项

一种微电力机械系统振动射流执行器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、选用普通硅片做衬底，在衬底上制作缓冲层、N‑GaN层和P‑GaN层，在P‑GaN层上向下刻蚀形成台阶露出N‑GaN层；S2、在P‑GaN层上镀膜形成氧化铟锡层，采用低压化学气相沉积的方法在氧化铟锡层上生长氮化硅膜；S3、在氮化硅薄膜上涂光学光刻胶，经过曝光显影后得到下电极图形；S4、将显影后的硅片在反应离子刻蚀中采用氧气去底胶；S5、把基片置于丙酮器皿中，并外加超声波去除硅片上的光刻胶及胶上的铬/金薄膜，得到铬/金的干法刻蚀掩蔽下电极图形；S6、在第一片衬底背面涂厚光刻胶，经曝光后得到待刻蚀的背面腐蚀窗口图形；S7、将整个衬底放入浓磷酸与浓硫酸的混合溶液中进行腐蚀，去除拍动片下的多余部分的硅衬底，并得到拍动片结构；S8、在第二片硅片的金膜表面涂光学光刻胶，将第一片硅片的背面与涂有光刻胶的第二片硅片粘合；S9、分别在上下硅片的金膜上焊接电极引线。