[发明专利]基于InSAR技术的直线扫描近场RCS测试杂波抑制方法有效

专利信息
申请号: 201611131827.1 申请日: 2016-12-09
公开(公告)号: CN106526547B 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 吕鸣;高超 申请(专利权)人: 北京环境特性研究所
主分类号: G01S7/36 分类号: G01S7/36;G01S7/40
代理公司: 北京格允知识产权代理有限公司 11609 代理人: 周娇娇
地址: 100854*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 公开了基于InSAR技术的直线扫描近场RCS测试杂波抑制方法,涉及电磁散射测量、信号特征控制技术领域。本发明的方法包括:分别在两个高度条件下对目标进行直线扫描,获取目标的两个二维像;根据两次直线扫描的高度差和两个二维像的相位差,确定目标的每个散射源的高度;基于目标的每个散射源的高度,在高度向对目标进行滤波,将滤波后的散射源进行重构得到杂波抑制后的目标RCS。利用InSAR技术对目标进行直线扫描近场,能够快速高效地获取回波数据;通过利用在两个高度采集数据的相位信息进行干涉处理,能够实现在一定高度范围内的相位解缠,从而唯一的确定散射源高度。本发明能够进行竖向空间滤波从而实现抑制场地杂散回波、提高测试精度的目的。
搜索关键词: 直线扫描 散射源 杂波抑制 近场 滤波 测试 二维 控制技术领域 采集数据 高度条件 回波数据 获取目标 散射测量 竖向空间 相位信息 信号特征 目标RCS 高度差 相位差 回波 杂散 重构 干涉
【主权项】:
1.基于InSAR技术的直线扫描近场RCS测试杂波抑制方法,其特征在于包括如下步骤:S1、分别在两个高度条件下对目标进行直线扫描,获取目标的两个二维像;S2、根据两次直线扫描的高度差Δh和两个二维像的相位差Δφ,确定目标的每个散射源的高度;S3、基于目标的每个散射源的高度,在高度向对目标进行滤波,将滤波后的散射源进行重构得到杂波抑制后的目标RCS;其中,Δφ小于360°;在步骤S2之前,按照如下方法确定两次直线扫描的高度和两个二维像的相位与散射源的高度之间的关系:根据扫描天线的位置以及目标的空间分布,分别确定两次直线扫描的高度与散射源的高度之间的关系:分别确定两个二维像的相位与散射源的高度之间的关系:两个二维像的相位与散射源的高度之间的关系:式中,h1、h2分别为两次直线扫描的高度,φ1、φ2分别为两个二维像的相位,r1、r2分别为两次直线扫描时天线与散射源的距离,(x0,y0,z0)为散射源的坐标,λ为入射电磁波波长,(p,‑R0,h1)为高度h1条件下天线在扫描坐标系的坐标,(p,‑R0,h2)为高度h2条件下天线在扫描坐标系的坐标,单位为m;扫描坐标系以目标所在位置为坐标原点,以扫描移动方向为X轴、以天线指向为Y轴、以目标的高度方向为Z轴。
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