[发明专利]基于Ir2O3/Ga2O3的深紫外APD探测二极管及其制作方法

摘要

本发明涉及一种基于Ir2O3/Ga2O3的深紫外APD探测二极管及其制作方法。该方法包括选取β‑Ga2O3衬底；在β‑Ga2O3衬底表面生长β‑Ga2O3材料形成同质外延层；在同质外延层表面生长上生长Ir2O3材料形成异质外延层；刻蚀异质外延层和同质外延层形成梯形结构；在异质外延层表面形成顶电极；在β‑Ga2O3衬底下表面形成底电极，最终形成APD探测器二极管。本发明采用β‑Ga2O3材料，发挥该材料在深紫外光区域和可见光区域的极高光透率和透明度，并确保了APD探测器的耐压极高、击穿电场较高，适合高频、高辐射、高温高压等极端环境，在极端环境下不仅器件可靠性大幅提高，探测性能也将优于目前的APD探测器。

主权项

一种基于Ir2O3/Ga2O3的深紫外APD探测二极管的制作方法，其特征在于，包括：步骤1、选取β‑Ga2O3衬底；步骤2、在所述β‑Ga2O3衬底表面生长β‑Ga2O3材料形成同质外延层；步骤3、利用CVD工艺，在所述同质外延层表面生长掺杂浓度为1×1019～1×1020cm‑3的P型Ir2O3材料以形成异质外延层；步骤4、刻蚀所述异质外延层和所述同质外延层形成梯形结构；步骤5、在所述异质外延层表面形成顶电极；步骤6、在所述β‑Ga2O3衬底下表面形成底电极，最终形成所述APD探测器二极管。