[发明专利]一种具有凹坑图案的用于二次电池的电极及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201611115534.4 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106784611B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李叶晶;王兆翔;陈立泉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01M4/13 | 分类号： | H01M4/13;H01M4/04;H01M10/05;H01M12/08 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于二次电池的电极，所述电极在其上下两个表面中的至少一个表面上具有多个凹坑，每个凹坑顶面投影的面积为25平方纳米‑250000平方微米，所述凹坑的深度为10纳米‑500微米，以及相邻凹坑的中心距为10纳米‑1000微米。在作为二次电池电极使用时，该电极可以有效地将电化学活性金属如金属锂限制在凹坑中，避免在电极表面上出现电化学活性金属的枝晶(如，锂枝晶)，以及缓冲合金化反应过程中的电极的巨大体积形变，从而提高金属二次电池的安全性能和循环寿命。本发明还提供所述电极的制备方法及其应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 图案 用于 二次 电池 电极 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种用于二次电池的电极，所述电极在其上下两个表面中的至少一个表面上具有多个凹坑，每个凹坑顶面投影的面积为25平方纳米‑250000平方微米，所述凹坑的深度为10纳米‑500微米，以及相邻凹坑的中心距为10纳米‑1000微米；所述电极包括由硅或锡形成的基底层和由金、铜、钛、铝、镍或铁形成的保护层，所述电极在其具有保护层一侧的表面上设有凹坑；或者，所述电极包括由硅、锡、铜、钛、镍或铁形成的基底层和高分子材料层，以及所述电极在其具有高分子材料层一侧的表面上设有凹坑。
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