[发明专利]C-2位和C-7位修饰的1-去氧巴卡亭VI紫杉烷类化合物及其制备方法有效
| 申请号： | 201611103984.1 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN106674243B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 林海霞;邱卫清;袁天海;崔永梅;唐平 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C07D493/08 | 分类号： | C07D493/08;A61P29/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种C‑2位和C‑7位修饰的1‑去氧巴卡亭VI紫杉烷类化合物及其制备方法。该化合物的结构是： |
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| 搜索关键词： | 修饰 去氧巴卡亭 vi 紫杉 化合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一类C‑2位和C‑7位修饰的1‑去氧巴卡亭VI紫杉烷类化合物，其特征在于该类似物的结构式为：![]()
其中：R为：卤素取代的苯甲酰基、硝基取代的苯甲酰基、甲氧基取代的苯甲酰基、苯甲酰基、C1‑C4烷基取代的苯甲酰基或三氟甲基取代的苯甲酰基；噻吩甲酰基或呋喃甲酰基。
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