[发明专利]一种泽泻的高产大棚种植方法在审

专利信息
申请号: 201611097895.0 申请日: 2016-12-03
公开(公告)号: CN106688551A 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 李保国 申请(专利权)人: 滁州市剑春园林园艺工程有限公司
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00;A01C1/00;A01C1/06
代理公司: 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙)34119 代理人: 崇鑫,刘希慧
地址: 233200*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种泽泻的高产大棚种植方法,将种子用种子处理剂处理,将用种子处理剂处理过的种子催芽;首先选取土层深厚、地势干燥、疏松肥沃、通风、排水良好的种植地,然后对种植地进行施肥、消毒和PH调节;然后进行播种;大棚内的温度每天的各个时间段进行合理的控制;搭架助攀后进行肥水管理。本发明通过对种子进行处理,合理选取种植地,然后播种的时候合理的进行温度控制,有效的提高了种植的产量和质量。
搜索关键词: 一种 泽泻 高产 大棚 种植 方法
【主权项】:
一种泽泻的高产大棚种植方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、将种子浸泡在45‑50℃的水中,浸泡的过程中不停搅拌,水温冷却至18‑23℃后停止搅拌,取出沥干,与种子处理剂混合拌种;S2、将用种子处理剂处理过的种子在25‑30℃下催芽18‑22h,当芽露出1‑2mm,再将种子在0‑2℃下存放1‑2天;S3、选择土层深厚、地势干燥、疏松肥沃、通风、排水良好的种植地;对种植地进行施肥、消毒和PH调节,所施的肥料为有机农肥,施肥量为9‑15kg/667m2;消毒所用的消毒液为福尔马林溶液;PH调节为4.5‑6.5;在种植地上做畦,在畦上每隔20‑30cm挖4‑6cm深的穴,将催芽后的种子放入穴中,覆上厚2‑3cm的种植土;S4、大棚内的温度每天的各个时间段应控制为:0点至5点,大棚内的温度控制为11‑13℃,5点至12点,大棚内的温度控制为25‑30℃,12点至19点,大棚内的温度控制为20‑25℃;19点至0点,大棚内的温度控制为16‑17℃;黄瓜开始抽蔓时搭好支架;盛果期,通过浇水以控制土壤的湿度为80‑90%,浇水之前进行施肥,施肥量为7‑10kg/667m2;遇到连续阴雨天,叶面喷施磷酸二氢钾2‑3次。
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