[发明专利]一种具有三维有序周期性大孔结构的拉曼反射基底及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201611096180.3 申请日: 2016-12-02
公开(公告)号: CN106596503A 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 张文妍;叶原丰;杨晓莉;郝凌云;蒋子秋;程铖;韩娟 申请(专利权)人: 金陵科技学院
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65
代理公司: 无锡万里知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32263 代理人: 李翀
地址: 211169 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及拉曼分析检测技术领域,具体涉及一种具有三维有序周期性大孔结构的拉曼反射基底及其制备方法;它的拉曼反射基底成分为1、主要成份为ZnO或TiO2的半导体三维有序周期性大孔结构,其比表面积为50‑200m2 g‑1,孔隙率为0.2‑1cm3 g‑1,重量配比为98%‑99.9%;2、金属纳米颗粒,重量配比为0.1%‑2%;所述金属纳米颗粒与半导体三维结构形成异质结;它应用胶体晶体模板法,制备半导体三维有序周期性大孔结构;在上述半导体三维有序周期性大孔结构的孔道结构中,限域生长金属纳米颗粒;它能有效放大基底的拉曼光谱信号,提高拉曼散射信号的重现性,可有效吸附和富集分子,提高检测灵敏度,它制备方法简单、工艺快速易行,可控性强,容易实现大面积制备和规模化生产。
搜索关键词: 一种 具有 三维 有序 周期性 结构 反射 基底 及其 制备 方法
【主权项】:
一种具有三维有序周期性大孔结构的拉曼反射基底,其特征在于它的拉曼反射基底成分为:1、主要成份为ZnO或TiO2的半导体三维有序周期性大孔结构,其比表面积为50‑200m2 g‑1,孔隙率为0.2‑1cm3 g‑1,重量配比为98%‑99.9%;2、金属纳米颗粒,重量配比为0.1%‑2%;所述金属纳米颗粒与半导体三维结构形成异质结。
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