[发明专利]一种模拟电源域ESD保护电路在审
| 申请号： | 201611085776.3 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106786451A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李志国;孙磊 | 申请（专利权）人： | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区北七家未*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子学中的集成电路(ICIntegrated Circuit)静电放电(ESDElectro‑Static Discharge)保护设计技术领域，公开了一种模拟电源域ESD保护电路，应用于多电源域数模混合芯片的ESD电路设计，尤其适用于模拟电源域的ESD电路设计，通过跨电源域触发技术，即实现了对模拟电源域内核电路的ESD保护，也满足芯片的低功耗、抗噪声的要求，同时解决芯片正常工作时ESD放电电路误触发的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 模拟 电源 esd 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种模拟电源域ESD保护电路，其特征在于多电源域数模混合芯片内，数字电源DVDD经过限流电阻R2控制模拟电源域的ESD电路开启放电，数字电源DVDD通过限流电阻R2连接PMOS的栅极，PMOS输出端连接ESD放电器件NMOS的栅极，DVDD控制PMOS的开启，从而控制ESD放电器件NMOS开启放电，实现数字电源信号控制模拟电源域ESD电路开启放电的电源隔离触发技术，同时NMOS的栅极通过下拉电阻R1接模拟电源域的地AVSS。
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