[发明专利]一种具有垂直PN异质结的太阳能电池及其制作方法在审
| 申请号： | 201611072891.7 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106449847A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 郭群超;王珺;朱红英 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/054;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司31227 | 代理人： | 余晨波 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有垂直PN异质结太阳能电池结构，包括单晶硅片，在所述单晶硅片的一面设有背反射层，在所述单晶硅片的另一面设有绒面和减反射膜结构，在所述单晶硅片的一端设有正电极，单晶硅片的另一端设有负电极，在所述正电极的内侧设有P+掺杂层，在所述负电极的内侧设有N+掺杂层，在所述单晶硅片上还设有若干PN结结构，所述PN结结构包括P+掺杂层和N+掺杂层，在所述P+掺杂层和N+掺杂层的外侧设有钝化层，所述P+掺杂层和N+掺杂层纵向设置在单晶硅片上，且所述P+掺杂层和N+掺杂层的角度与入射光平行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 垂直 pn 异质结 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有垂直PN异质结太阳能电池结构，其特征在于：包括单晶硅片，在所述单晶硅片的一面设有背反射层，在所述单晶硅片的另一面设有绒面和减反射膜结构，在所述单晶硅片的一端设有正电极，单晶硅片的另一端设有负电极，在所述正电极的内侧设有P+掺杂层，在所述负电极的内侧设有N+掺杂层，在所述单晶硅片上还设有若干PN结结构，所述PN结结构包括P+掺杂层和N+掺杂层，在所述P+掺杂层和N+掺杂层的外侧设有钝化层，所述P+掺杂层和N+掺杂层纵向设置在单晶硅片上，且所述P+掺杂层和N+掺杂层的角度与入射光平行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
