[发明专利]一种石墨烯硅基太阳能电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201611064151.9 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106505124A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 戚明海 | 申请（专利权）人： | 戚明海 |
| 主分类号： | H01L31/078 | 分类号： | H01L31/078;H01L31/0216;H01L31/028;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯硅基太阳能电池及其制造方法，其太阳能电池自下而上依次有背面金属电极、p型硅基体、n型硅薄层、n型掺杂的石墨烯层、氮化硅薄膜、PMMA层和金属正面电极，金属正面电极穿透PMMA层、氮化硅薄膜、n型掺杂的石墨烯层与n型硅薄层接触，所述n型硅薄层上具有通孔，所述n型硅薄层的表面和所述通孔暴露的表面设置所述n型掺杂的石墨烯层。通过本发明的制造的石墨烯硅基太阳电池具有光电转化效率高和工艺简单的优点，适合推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 烯硅基 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯硅基太阳能电池，其特征在于，自下而上依次有背面金属电极、p型硅基体、n型硅薄层、n型掺杂的石墨烯层、氮化硅薄膜、PMMA层和金属正面电极，金属正面电极穿透PMMA层、氮化硅薄膜、n型掺杂的石墨烯层与n型硅薄层接触，所述n型硅薄层上具有通孔，所述n型硅薄层的表面和所述通孔暴露的表面设置所述n型掺杂的石墨烯层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于戚明海，未经戚明海许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611064151.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
